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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR120A-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR120A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR120A-VB 产品简介
IRFR120A-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装形式,适用于中等电压应用。该器件的漏源极电压(VDS)为 100V,栅源极电压(VGS)为 ±20V,门槛电压(Vth)为 1.8V,具有较低的导通电阻(RDS(ON)),为 114mΩ@VGS=10V。其最大漏极电流(ID)为 15A。IRFR120A-VB 采用了先进的沟槽(Trench)技术,确保在高效电源开关和电流处理场景中的优异性能,适合多种电源管理和控制模块。

### 二、IRFR120A-VB 详细参数说明
- **封装**:TO252
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:100V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **门槛电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:15A
- **技术类型**:沟槽(Trench)

### 三、应用领域和模块说明
IRFR120A-VB 的设计非常适合高效能的电源开关和中等功率处理应用。以下是该产品适用的一些领域和模块:

1. **电源管理系统**:IRFR120A-VB 常用于电源管理系统,如服务器电源和数据中心中的电源调节器。它可以有效管理电能分配,优化电路中的电流流动,确保高效能和低损耗。

2. **DC-DC 转换器**:该 MOSFET 适合用作 DC-DC 转换器的主开关元件,处理高达 100V 的输入电压,并且由于其低导通电阻,可以在高电流应用中提升转换效率。

3. **电动机驱动**:IRFR120A-VB 能够用于电动机驱动电路,适合中等功率电机的驱动需求。其低导通电阻确保电机的高效运行,并减少能量损失。

4. **工业自动化**:在工业自动化领域,该器件可以用于各种驱动和控制电路,确保高效和可靠的电力传输,如电机控制器和工业传感器模块。

5. **家用电器**:IRFR120A-VB 可以集成到洗衣机、冰箱等家电的控制电路中,作为负载开关或电源管理单元的一部分。其高效开关特性能够降低能耗并提高设备的稳定性。

6. **电池管理系统**:该 MOSFET 也适用于电池管理系统中的保护电路,如电动汽车和可再生能源储能系统。它有助于有效管理电池组的充放电过程,确保电池的安全和可靠运行。

总之,IRFR120A-VB 由于其高效的电流处理能力和低导通损耗,非常适合在电源管理、转换器、电动机驱动和工业应用中使用,尤其在需要高效开关和中等功率控制的场景下表现突出。

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