--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IRFR120A-VB 产品简介
IRFR120A-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装形式,适用于中等电压应用。该器件的漏源极电压(VDS)为 100V,栅源极电压(VGS)为 ±20V,门槛电压(Vth)为 1.8V,具有较低的导通电阻(RDS(ON)),为 114mΩ@VGS=10V。其最大漏极电流(ID)为 15A。IRFR120A-VB 采用了先进的沟槽(Trench)技术,确保在高效电源开关和电流处理场景中的优异性能,适合多种电源管理和控制模块。
### 二、IRFR120A-VB 详细参数说明
- **封装**:TO252
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:100V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **门槛电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:15A
- **技术类型**:沟槽(Trench)
### 三、应用领域和模块说明
IRFR120A-VB 的设计非常适合高效能的电源开关和中等功率处理应用。以下是该产品适用的一些领域和模块:
1. **电源管理系统**:IRFR120A-VB 常用于电源管理系统,如服务器电源和数据中心中的电源调节器。它可以有效管理电能分配,优化电路中的电流流动,确保高效能和低损耗。
2. **DC-DC 转换器**:该 MOSFET 适合用作 DC-DC 转换器的主开关元件,处理高达 100V 的输入电压,并且由于其低导通电阻,可以在高电流应用中提升转换效率。
3. **电动机驱动**:IRFR120A-VB 能够用于电动机驱动电路,适合中等功率电机的驱动需求。其低导通电阻确保电机的高效运行,并减少能量损失。
4. **工业自动化**:在工业自动化领域,该器件可以用于各种驱动和控制电路,确保高效和可靠的电力传输,如电机控制器和工业传感器模块。
5. **家用电器**:IRFR120A-VB 可以集成到洗衣机、冰箱等家电的控制电路中,作为负载开关或电源管理单元的一部分。其高效开关特性能够降低能耗并提高设备的稳定性。
6. **电池管理系统**:该 MOSFET 也适用于电池管理系统中的保护电路,如电动汽车和可再生能源储能系统。它有助于有效管理电池组的充放电过程,确保电池的安全和可靠运行。
总之,IRFR120A-VB 由于其高效的电流处理能力和低导通损耗,非常适合在电源管理、转换器、电动机驱动和工业应用中使用,尤其在需要高效开关和中等功率控制的场景下表现突出。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12