### 产品简介
IRFR120ATM-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，设计用于中等电压和中等电流应用。该 MOSFET 支持最高 100V 的漏源电压（VDS），并能处理高达 15A 的漏极电流（ID）。IRFR120ATM-VB 使用 Trench 技术，具有相对低的导通电阻和良好的开关性能。在 VGS=10V 时，其导通电阻（RDS(ON)）为 114mΩ，能够有效降低功率损耗和提升系统效率。其典型的开启电压（Vth）为 1.8V，能够在较低的栅源电压下可靠开启。
### 详细参数说明
1. **器件类型**：N 沟道 MOSFET
2. **封装类型**：TO252
3. **漏源电压 (VDS)**：100V
4. **栅源电压 (VGS)**：±20V
5. **开启电压 (Vth)**：1.8V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 114mΩ @ VGS=10V
7. **漏极电流 (ID)**：15A
8. **技术类型**：Trench
9. **工作温度范围**：-55°C 至 150°C
### 适用领域和模块示例
IRFR120ATM-VB 的特性使其适用于多个领域和应用：
1. **电源管理和开关电路**：在各种电源管理应用中，如 DC-DC 转换器和开关电源（SMPS），IRFR120ATM-VB 可用于负载开关和电源转换。其适中的导通电阻和高电流能力有助于提高系统的整体效率，降低功率损耗，并提升电源转换性能。
2. **工业自动化**：在工业自动化系统中，如电机驱动和自动化控制模块，该 MOSFET 可用于高效的电源开关和控制。它能够可靠地处理中等电压和电流负载，保证系统的稳定性和高效能。
3. **电动汽车和充电系统**：在电动汽车的充电器和电池管理系统中，IRFR120ATM-VB 可以用于高效的电流开关，支持电池的充电和放电过程。其低导通电阻能够有效减少充电过程中的功率损耗，提升充电效率。
4. **消费电子产品**：在消费电子产品中，如笔记本电脑、电视和电动工具，IRFR120ATM-VB 可用于电源开关和电池管理系统。它的高电流处理能力和较低的功耗使其适合于各种设备的电源控制，提高设备的性能和寿命。
