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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR110PBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR110PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR110PBF-VB 产品简介

IRFR110PBF-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为中等电压和电流应用设计。该 MOSFET 的漏源极电压 (VDS) 高达 100V,能够处理高达 15A 的漏极电流。它采用 Trench 技术,具有较低的导通电阻。在 10V 的栅源极电压下,导通电阻 (RDS(ON)) 为 114mΩ。IRFR110PBF-VB 的开启电压 (Vth) 为 1.8V,确保在较低的栅极电压下也能稳定开启,适合各种中等功率开关和控制应用。

### 二、IRFR110PBF-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252  
- **配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)  
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V  
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V  
- **开启电压 (Vth)**: 1.8V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V  
- **漏极电流 (ID)**: 15A  
- **技术类型**: Trench  
- **功耗**: 由于低导通电阻,该 MOSFET 在实际应用中能够提供较低的功耗,帮助提高系统效率。

### 三、IRFR110PBF-VB 适用领域和模块示例

1. **电机驱动**
  IRFR110PBF-VB 在电机驱动应用中表现出色,尤其是在中等电压电机控制系统中。其 100V 的漏源极电压和 15A 的漏极电流处理能力,适用于控制电动汽车、电动工具和其他电机驱动设备的开关。低导通电阻能够有效提高电机驱动的效率和响应速度。

2. **DC-DC 转换器**
  在 DC-DC 转换器中,IRFR110PBF-VB 可以作为高效的开关元件,处理中等电压和电流负载。它适用于各种电源管理和电力转换模块,能够提供稳定的开关性能,优化系统的能量转换效率。

3. **开关电源**
  IRFR110PBF-VB 也适合用于开关电源应用,如电源适配器和电源模块。其较低的导通电阻和高电流处理能力,使其能够高效地处理电源开关,从而提高开关电源的整体性能和稳定性。

4. **低功耗控制电路**
  在低功耗控制电路中,如LED驱动电路和低功率开关电路,IRFR110PBF-VB 能够提供高效的开关性能。其低导通电阻和低开启电压使其适合用于这些要求高效能量管理和开关性能的应用中。

IRFR110PBF-VB 的低导通电阻和适中的电压处理能力,使其在各种中等功率和开关应用中表现优异,能够为不同的电子系统提供稳定和高效的开关解决方案。

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