--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IRFR022-VB 产品简介
IRFR022-VB 是一款高性能N沟道MOSFET,采用Trench技术设计,封装在TO252外壳中,专为中等电压和电流应用而开发。这款MOSFET 具有60V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS)。其开启电压为1.7V,在VGS为4.5V时的导通电阻(RDS(ON))为85mΩ,在VGS为10V时为73mΩ。最大漏极电流(ID)为18A。IRFR022-VB 提供了优良的开关性能和热稳定性,适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。
### 二、IRFR022-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单一N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 85mΩ @ VGS = 4.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 73mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术**: Trench技术
- **最大功耗 (Ptot)**: 60W
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C
- **开关时间**: 适合中高频率开关应用,具有较低的开关损耗
### 三、应用领域和模块示例
IRFR022-VB 的特点使其在多种领域和模块中表现出色,尤其是在要求中等电压和电流的应用中:
1. **DC-DC转换器**:在中等电压的DC-DC转换器中,IRFR022-VB 能够提供高效的开关性能和低导通电阻。它适用于高频率的转换应用,如电源管理模块和稳压器,帮助提升整体效率并减少功耗。
2. **电机驱动**:在电机驱动应用中,IRFR022-VB 的18A电流处理能力使其能够有效控制电机的启动和运行。它可用于直流电机和步进电机的驱动电路中,提供可靠的电流开关和控制。
3. **电源开关**:IRFR022-VB 可用于高效电源开关应用,如开关电源和电池管理系统。其低导通电阻和稳定的开关性能使其成为高效电源控制的理想选择,适合用于电源开关模块中。
4. **高效照明系统**:在LED照明和其他高效照明系统中,IRFR022-VB 可以用作开关元件。其低导通电阻和优良的开关特性确保了照明系统的高效能和长寿命。
IRFR022-VB 的优良性能使其在中等电压和电流应用中表现出色,能够满足各种高效开关和控制需求。
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