**产品简介**
IRFR014NTRPBF-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，封装为TO252。该MOSFET 具有高达60V的漏源电压（VDS）和18A的漏极电流（ID），适用于处理中等电压和电流的应用。它的栅源电压（VGS）范围为±20V，开启电压（Vth）为1.7V。IRFR014NTRPBF-VB 采用Trench技术，在VGS=10V时具有73mΩ的导通电阻（RDS(ON)），在VGS=4.5V时为85mΩ。该MOSFET 具有良好的开关性能和低导通电阻，使其在各种中等功率应用中表现优异。
**详细参数说明**
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压（VDS）**：60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **开启电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：18A
- **技术**：Trench
- **功耗**：31W
- **最大工作温度**：175°C
**应用领域与模块**
1. **DC-DC转换器**：IRFR014NTRPBF-VB 适用于各种DC-DC转换器模块。其在60V电压下的开关性能和低导通电阻能够提供高效的电压转换和电流控制，适合用于高效的电源管理系统。
2. **电池管理系统**：在电池管理系统中，该MOSFET 可以用于电池保护和功率开关。其低导通电阻和高电流能力确保了有效的电池保护和电流控制，适合用于笔记本电脑、电动汽车和移动设备等领域。
3. **电机驱动**：IRFR014NTRPBF-VB 也适合用于小型电机驱动应用，如家用电器和电动工具。其高电流能力和低导通电阻提供了稳定的电机控制和高效的功率转换。
4. **开关电源**：该MOSFET 可用于开关电源模块中，特别是在中等电压和电流的应用中。其优异的开关性能和低导通电阻能够提高电源的效率，保证系统稳定性。
