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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR014A-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR014A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRFR014A-VB MOSFET 产品简介:
IRFR014A-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装,基于Trench技术制造。该MOSFET具有60V的漏源极电压(VDS)和18A的漏极电流(ID),适合处理中等电压和电流的应用。其阈值电压(Vth)为1.7V,导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时为85mΩ,在VGS=10V时为73mΩ。IRFR014A-VB 的低导通电阻和高电流能力,使其在高效能的开关应用中表现优异,适合用于各种需要高效电源控制的场合。

### IRFR014A-VB 详细参数说明:
- **型号**: IRFR014A-VB
- **封装形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 85mΩ@VGS=4.5V
 - 73mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术**: Trench技术
- **工作温度范围**: 通常在 -55°C 至 +150°C 之间

### 应用领域和模块:
1. **低压开关电源**: IRFR014A-VB 的60V耐压适合用于低压开关电源模块,如计算机电源、消费电子电源和工业电源。在这些应用中,该MOSFET 能够有效地开关低电压电源,提供高效的电源管理和稳健的性能。

2. **电机驱动控制**: 在电动工具、电动自行车和小型电机驱动控制系统中,IRFR014A-VB 能够处理中等电流和低电压负载。其低导通电阻保证了高效的电流控制和热管理,提高电机驱动系统的整体效率和可靠性。

3. **DC-DC转换器**: 该MOSFET 适用于DC-DC转换器和降压转换器的开关应用。IRFR014A-VB 能够在转换器中处理高电流负载,保持较低的功率损耗和高效的能量转换,从而提升转换器的性能。

4. **LED驱动器**: 在LED照明系统中,IRFR014A-VB 可用于控制LED的电流。其高电流能力和低导通电阻使其适合用于LED驱动器的开关操作,确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。

IRFR014A-VB 的低电压和中等电流能力使其在低压开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和LED驱动器等应用中表现优异,提供高效的功率控制和可靠的开关性能。

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