--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### WFF8N65B-VB 产品简介
WFF8N65B-VB 是一款高耐压的 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,并使用 Plannar 技术制造。其最大漏极-源极电压(VDS)为 650V,适用于高电压应用。MOSFET 的最大栅源电压(VGS)为 30V,具有相对较高的阈值电压(Vth)为 3.5V,确保在较高电压下的稳定开关操作。该产品的导通电阻为 1100mΩ @ VGS = 10V,漏极电流最大可达到 7A,适用于多种功率管理和电力转换应用,特别是在中低功率、高电压场合中。WFF8N65B-VB 提供了稳定的电流开关功能和高效的功率转换,广泛应用于电源管理、开关电源、逆变器等领域。
### WFF8N65B-VB 参数说明
- **封装**:TO220F
- **配置**:单极 N-Channel
- **VDS**:650V(最大漏极-源极电压)
- **VGS**:±30V(最大栅源电压)
- **Vth**:3.5V(阈值电压)
- **RDS(ON)**:1100mΩ @ VGS = 10V(导通电阻)
- **ID**:7A(最大漏极电流)
- **技术**:Plannar
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **应用领域**:电源管理、高压电源、开关电源、逆变器、电动工具等。
### 应用领域与模块示例
1. **电源管理系统**
WFF8N65B-VB 适用于各种电源管理系统,尤其是高电压电源系统。凭借其 650V 的耐压性能,该 MOSFET 可在电力转换应用中作为开关元件工作。它广泛应用于高电压电源(如 AC-DC 电源、DC-DC 转换器)中,提供稳定可靠的功率转换。
2. **开关电源(SMPS)**
在开关电源(SMPS)中,WFF8N65B-VB 可用于高电压输入的电源模块。其 650V 的耐压能力使其能够在较高的输入电压下提供稳定的开关性能,特别是在设计和构建高效能的电源适配器、LED 驱动电源以及其他高功率电源模块时具有优势。
3. **逆变器应用**
WFF8N65B-VB 也适合用于逆变器(Inverter)中,特别是在光伏(太阳能)逆变器和风能逆变器等需要高电压承受能力的场景。由于其耐高压的特点,它可以稳定工作在高电压环境下,确保能量高效转换。
4. **电动工具**
对于电动工具等高功率设备,WFF8N65B-VB 可作为电源开关和功率转换组件。电动工具中对高电压和高功率的需求要求 MOSFET 必须具备较高的耐压和稳定的开关特性。MOSFET 的 650V 的耐压能力使其在各种电动工具中表现出色,能够承受电动工具在启动和运行过程中的电流变化。
5. **电机驱动系统**
在电机驱动系统中,尤其是高电压驱动系统,如电动汽车驱动系统、工业电机驱动等,WFF8N65B-VB 能够提供有效的电流开关和功率管理功能。凭借其高耐压和中等导通电阻,它能够在负载变化较大的环境中提供稳定的电流控制,保证系统高效运行。
6. **家用电器与家电产品**
WFF8N65B-VB 在一些高电压家电产品中也具有应用价值,特别是在电力调节和功率转换方面。它可以作为电源管理模块的一部分,确保电器设备的稳定工作。例如,空调、电冰箱等大型家电产品需要处理较高电压和功率,该 MOSFET 能够有效支撑这一需求。
### 总结
WFF8N65B-VB 是一款适用于中高电压应用的 N-Channel MOSFET,具有 650V 的耐压能力,适用于多种电力转换和功率管理应用。它的高耐压、适中的导通电阻(1100mΩ)以及可靠的开关特性使其成为电源管理、高压电源、开关电源、逆变器等领域的重要元件。凭借 Plannar 技术,它能够在高温、高电压环境下稳定工作,确保系统的高效能和长寿命。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12