--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. **产品简介:**
WFF8N60B-VB 是一款高压 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于需要高电压耐受能力的电力开关应用。其最大漏极-源极电压(VDS)为 650V,最大栅极-源极电压为 ±30V,适应于高压开关电源、电动工具、家电等领域。该 MOSFET 的阈值电压(Vth)为 3.5V,确保了其在正常工作状态下稳定导通。其导通电阻(RDS(ON))为 830mΩ,在 VGS=10V 下适中,适合用于一般电力转换应用。最大漏极电流为 10A,适合中等功率的开关应用。WFF8N60B-VB 采用 Plannar 技术,这种技术在高电压和高电流应用中展现出稳定性和可靠性,是工业和消费类电子产品中的重要组件。
### 2. **详细参数说明:**
- **封装类型:** TO220F
- **配置:** 单 N-Channel MOSFET
- **最大漏极-源极电压(VDS):** 650V
- **最大栅极-源极电压(VGS):** ±30V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID):** 10A
- **技术:** Plannar
- **最大功率损耗(P_D):** 适根据工作条件计算
- **工作温度范围(T_j):** -55°C 至 150°C
- **栅极电荷(Qg):** 适中(参考具体条件)
### 3. **应用领域和模块示例:**
#### 1. **高压开关电源(SMPS):**
WFF8N60B-VB 可以广泛应用于高压开关电源(SMPS)中,尤其是中等功率的电源系统。它的 650V 漏极-源极电压使其能够承受高压输入,适用于各种电压转换模块,如电力适配器、电源供应器等。其较低的漏极电流(10A)使其适用于需要稳定电流开关的中功率电源应用。
#### 2. **家用电器:**
WFF8N60B-VB 适合用于家电的电源管理和转换模块,特别是在电动工具、电饭锅、电冰箱等家用设备中。其高电压承载能力能够保证在高压环境下稳定工作,同时中等的导通电阻使其能够平衡功耗和导通效率,适合普通家用电器电源电路。
#### 3. **小型逆变器:**
这款 MOSFET 适用于小型逆变器,例如太阳能光伏逆变器、汽车电源转换器等。由于其 650V 的高电压能力,它能够适应较为复杂的电力转换需求,而 10A 的漏极电流能力足以支持低功率的逆变系统。
#### 4. **电动工具:**
在电动工具中,WFF8N60B-VB 可用于电机驱动控制、电源开关等应用。其 650V 的耐压能力能够应对高压电源,并提供稳定的开关性能,尤其适用于功率较低的电动工具,如电动螺丝刀、电动剪刀等。
#### 5. **工业电源和控制模块:**
在工业电源系统中,WFF8N60B-VB 用于高压开关控制模块,如电机控制、工业自动化电源模块。它的稳定性和可靠性使其适用于需要大电压和中等电流的工业电气系统。
#### 6. **电视背光驱动电源:**
WFF8N60B-VB 也适合应用于电视背光驱动电源系统中,用于承载大功率的直流电源转换。其 650V 的电压耐受能力能够确保背光驱动系统的稳定性,特别适用于LED电视的电源模块。
### 总结:
WFF8N60B-VB 是一款耐压高达 650V 的单 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于中功率和高压应用。它广泛应用于高压开关电源、电动工具、家用电器、小型逆变器以及工业控制系统中。其较低的导通电阻使其在这些应用中具有良好的电流控制能力,而其稳定的工作性能也使其成为许多电力转换模块的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12