--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
1. **产品简介**
WFF840-VB是一款采用TO220F封装的单N通道MOSFET,专为中高功率和高耐压应用设计。其具有650V的漏源电压(VDS)和最大漏极电流(ID)为12A。该MOSFET的导通电阻(RDS(ON))为680mΩ(@VGS=10V),虽然相较于其他低导通电阻的MOSFET其导通电阻较高,但它依然能够提供稳定的工作性能。WFF840-VB采用了Plannar技术,具有良好的电压耐受性和稳定性,适用于需要较高电压承受能力的各种功率电子设备。该MOSFET的设计使其非常适合用于电源管理、开关电源和中等功率的工业电路中。
2. **详细参数说明**
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N通道
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:680mΩ(@VGS=10V)
- **漏极电流(ID)**:12A
- **技术**:Plannar
- **应用场景**:中功率开关电源、电力电子设备、电动工具、电池管理系统、工业控制系统。
3. **应用举例**
WFF840-VB适用于需要高耐压和中等电流的应用领域,特别是在开关电源和电力电子设备中,具有很好的应用潜力。例如,在AC-DC电源转换器中,WFF840-VB可作为主开关元件,用于高效的电压转换。其650V的耐压特性使其能够承受较大的电压压力,从而在电力供应、充电器以及中高功率电源管理系统中表现出色。
此外,WFF840-VB也适合用于电动工具和电池管理系统。其导通电阻虽较高,但在低功率应用中,能够以较低的功率损耗稳定运行。特别是在电动工具的电源管理中,WFF840-VB的高耐压特性能有效确保电动工具在不同电压条件下的稳定运行。
在工业控制系统中,WFF840-VB可用于功率转换和电源模块,它能够在复杂和多变的工作环境中提供稳定可靠的性能。例如,在伺服电机驱动器和变频器中,WFF840-VB能够有效地承受高电压输入,并在高压系统中提供稳定的开关操作。
综上所述,WFF840-VB适用于各类中高功率电源管理和电力转换应用,尤其在需要高耐压的电动工具、电池管理、电源转换器和工业设备中具有广泛的应用前景。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12