--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**WFF7N60-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的 **单N沟道MOSFET**,适用于高电压、低电流的开关电源和电力电子应用。该MOSFET具有 **650V** 的最大漏极-源极电压(VDS),能够在较高电压环境中提供稳定的电流控制,适合电压承受要求较高但电流要求相对较低的应用场合。其 **最大漏极电流(ID)** 为 **10A**,并且具有 **830mΩ** @VGS=10V的低导通电阻。使用 **Plannar技术**,提供了良好的热稳定性和低漏电流性能。此款MOSFET广泛应用于开关电源、电池充电、DC-DC转换器等低功率高电压系统。
### 详细参数说明
- **型号**:WFF7N60-VB
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **最大漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **最大门极-源极电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- **830mΩ** @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:10A
- **技术类型**:Plannar
- **最大功耗**:根据电流和工作条件计算
- **最大结温**:+150°C
- **工作温度范围**:-55°C 到 +150°C
- **输入电容(Ciss)**:典型值为 850pF
- **输出电容(Coss)**:典型值为 70pF
- **反向恢复时间(trr)**:典型值为 90ns
### 应用领域及模块举例
1. **开关电源(SMPS)**
**WFF7N60-VB** 在 **开关电源**(SMPS)中具有广泛应用,尤其适用于 **高电压输入** 的转换系统。由于其高达 **650V** 的电压耐受能力,它可以在电力电子系统中作为高压开关元件工作,控制从AC到DC的转换。它非常适用于 **交流电源转换、UPS系统** 以及其他高电压电源模块,能够有效地控制功率流动,并提高整体系统的转换效率。
2. **DC-DC转换器**
在 **DC-DC转换器** 中,**WFF7N60-VB** 可用于高电压输入转换为低电压输出的场合。特别适合在需要高电压、低电流调节的 **电力管理系统** 中工作。例如, **电动汽车充电器**、**LED驱动电源** 和 **通信设备** 中的电源调节模块,都能够借助该MOSFET高电压耐受和低导通电阻的优势,提供稳定的输出。
3. **电池管理系统(BMS)**
该MOSFET能够在 **电池管理系统** 中发挥重要作用。电池管理系统中通常需要对电池的充放电进行严格控制,尤其是在高压充电系统中,**WFF7N60-VB** 的 **650V** 耐压和高 **ID(10A)** 能够确保电池的充电过程中,电流和电压的安全切换。它可用于 **高电压电池管理、逆变器系统** 等,帮助实现安全、高效的电池能量转换。
4. **继电器驱动和负载开关**
该MOSFET可用于 **继电器驱动电路**,尤其是那些需要控制高电压负载的场合。由于其高电压承受能力和合理的 **导通电阻**,它能提供高效的开关操作,帮助控制和保护电力负载。它可以用于 **继电器开关、电动机启动** 和其他高电流设备的控制。
5. **电力因数校正(PFC)电路**
**WFF7N60-VB** 也非常适合用于 **电力因数校正**(PFC)电路。PFC电路用于提高电力系统的效率并减少谐波失真,这对于高压电源来说尤其重要。MOSFET作为关键的开关元件,能够实现电压和电流的精准控制,帮助系统稳定运行,确保电源系统能有效提升功率因数。
6. **过压和过流保护电路**
在一些高电压电源系统中,过压和过流保护电路至关重要。**WFF7N60-VB** 的高 **VDS** 和较高 **ID** 特性使其成为保护电路中的理想选择。它能够在电源电压超出设定范围时切断电流流动,保护后续电路免受损害,尤其适用于 **UPS系统、医疗设备** 等场合,保证设备在不稳定的电力环境下依旧安全可靠地工作。
7. **照明控制系统**
在 **照明控制系统** 中,尤其是 **LED驱动器**,该MOSFET可以用于调节电压和电流,控制LED灯具的亮度和电流。由于其较低的导通电阻和 **650V** 的耐压,**WFF7N60-VB** 可确保系统高效运行,延长LED灯的使用寿命,并提高系统整体的能源效率。
### 总结
**WFF7N60-VB** 是一款高电压、低电流的 **N沟道MOSFET**,采用 **TO220F封装** 和 **Plannar技术**,具备 **650V** 的漏极-源极电压承受能力和 **10A** 的漏极电流处理能力,适用于高压、低电流的开关电源、电池管理、电力因数校正等应用。其低导通电阻(**830mΩ**)提供了较高的效率,广泛应用于 **开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统、继电器驱动电路** 等多个领域,满足了高电压环境下对高效率和可靠性的需求。
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