--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### WFF730-VB 产品简介
WFF730-VB 是一款高耐压 N-Channel MOSFET,封装为 TO220F,采用 Plannar 技术,适用于高电压应用场合。该 MOSFET 的最大漏极-源极电压(VDS)为 650V,栅源电压(VGS)最大可达到 30V,具有较高的耐压特性。其导通电阻(RDS(ON))为 830mΩ @ VGS = 10V,最大漏极电流为 10A,适用于高功率开关、功率转换和电力控制等领域。由于其较高的导通电阻,WFF730-VB 更适用于对功率要求较低但需要较高耐压的应用环境,提供可靠的电流开关和电力转换功能。
### WFF730-VB 参数说明
- **封装**:TO220F
- **配置**:单极 N-Channel
- **VDS**:650V(最大漏极-源极电压)
- **VGS**:±30V(最大栅极-源极电压)
- **Vth**:3.5V(阈值电压)
- **RDS(ON)**:830mΩ @ VGS = 10V(导通电阻)
- **ID**:10A(最大漏极电流)
- **技术**:Plannar
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **应用领域**:高压电源、开关电源、逆变器、电动工具等。
### 应用领域与模块示例
1. **高压电源管理系统**
WFF730-VB 可广泛应用于高压电源管理系统。其 650V 的耐压能力使其在电力转换、AC-DC 电源及电力供应单元(PSU)中表现出色。MOSFET 的高耐压特性使其能够在面对高电压输入时保持高效稳定的工作。在此类应用中,MOSFET 起到电流开关、功率转换及电压调节的作用,确保系统高效运行。
2. **开关电源(SMPS)**
在开关电源(SMPS)设计中,WFF730-VB 是一个关键的开关元件,尤其在高电压转换时。尽管其导通电阻较高,但适合中等功率的高电压电源系统,如电源适配器、LED 驱动电源等。MOSFET 的高耐压性能确保它在高电压环境下具有出色的耐受性和可靠性,适用于各种需要稳定电压转换的设备。
3. **逆变器应用**
由于其耐压能力高达 650V,WFF730-VB 适合用于逆变器中,尤其是需要将直流电转换为交流电的应用。逆变器用于太阳能、风能等可再生能源系统,以及电力储存系统,WFF730-VB 可稳定工作,确保系统中能量的高效转换,满足对高电压系统稳定性的要求。
4. **电动工具**
在电动工具中,WFF730-VB 可作为电源开关或功率转换元件应用,尤其是要求高电压支持的工具。由于其较高的耐压和适中的导通电阻,该 MOSFET 能够提供稳定的开关性能,确保电动工具在使用过程中高效、稳定地运行。适用于电动钻、电锯等高功率工具,能够处理高电压输入并提供稳定的电流控制。
5. **电机驱动系统**
WFF730-VB 可用于电机驱动系统中,特别是高压驱动系统,如工业电机驱动、电动汽车驱动系统等。在这些系统中,MOSFET 充当电流开关的角色,能够承受高电压并提供稳定的功率输出。MOSFET 的耐高压能力和电流控制性能,确保电机驱动系统能够在负载变化和高压工作环境下保持可靠运行。
6. **家电产品**
WFF730-VB 还适用于家用电器中的电源开关和控制模块。由于其较高的 VDS 和耐高压能力,该 MOSFET 可用于空调、微波炉、电饭煲等电器的电源控制部分。在这些应用中,MOSFET 提供稳定的电源切换和电流调节,确保家电产品能够高效、安全地运行。
### 总结
WFF730-VB 是一款高耐压 N-Channel MOSFET,适用于需要承受高电压的各种电力转换和功率管理应用。其 650V 的 VDS、10A 的 ID 和 830mΩ 的 RDS(ON) 使其成为高压电源、开关电源、逆变器、电动工具、电机驱动系统等领域的理想选择。MOSFET 采用 Plannar 技术,具有较高的热稳定性和可靠的开关性能,能够在高电压环境下稳定工作,提供高效的功率转换与电流控制。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12