--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### WFF4N65-VB MOSFET 产品简介
WFF4N65-VB 是一款采用 TO220F 封装的单N通道 MOSFET,具有650V的漏源电压(VDS)和 ±30V 的栅源电压(VGS)。该型号基于平面(Plannar)技术,适用于中低功率和高电压开关应用。它的阈值电压(Vth)为3.5V,导通电阻(RDS(ON))为 2560mΩ @ VGS = 10V,最大漏极电流(ID)为4A。虽然它的导通电阻相对较高,但由于650V的高漏源电压,它依然能够在需要高电压耐受性而电流要求相对较低的应用中提供可靠的电流开关功能。
WFF4N65-VB 适用于需要高电压的场合,如电源管理、逆变器、电动工具控制等系统。它特别适合一些不需要非常高导通效率的应用,但仍然对高电压保护和稳定性有较高要求的系统。
### WFF4N65-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N通道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:4A
- **技术**:Plannar(平面技术)
- **最大功率耗散(Ptot)**:最大 40W(根据数据手册)
- **工作温度范围**:-55°C 到 150°C
- **应用场景**:高压电源、逆变器、电动工具、照明驱动等。
### WFF4N65-VB MOSFET 应用领域及模块
1. **电源管理和开关电源(SMPS)**
WFF4N65-VB 在电源管理系统中作为开关元件,适用于高电压应用,特别是在需要较低电流和高电压的场合。其650V的漏源电压使它能在AC-DC、DC-DC转换器等中工作,适用于不需要非常高电流但对电压要求较高的电源模块。
2. **逆变器**
该MOSFET可以在光伏逆变器、UPS(不间断电源)和其他逆变器系统中使用。由于它的高电压能力和适中的导通电阻,它适用于那些要求高电压耐受性,但负载电流相对较低的逆变器系统,能够提供高效的电流开关。
3. **电动工具**
在电动工具的驱动电路中,WFF4N65-VB 可用作功率开关。它能够承受高电压,在控制电机和电池管理中发挥作用,尤其适用于电动工具等中等功率的电机控制系统。
4. **照明驱动**
WFF4N65-VB 适用于LED照明和其他高电压照明驱动电路中。它的650V漏源电压和较低的导通电阻使其能够在高电压AC电源下稳定工作,是高效能照明系统中的理想选择。
5. **电池管理系统(BMS)**
在电池管理系统中,WFF4N65-VB 可以用于功率开关、过电流保护和电池充放电管理,尤其是在电动汽车、电动工具和其他高电压电池系统中,能够保证电池的稳定性和安全性。
6. **家电控制**
WFF4N65-VB 在家电控制系统中,特别是在高电压家电设备如空调、电冰箱、微波炉等中,作为功率开关元件使用。它可以有效地控制电机和负载,帮助家电设备在高电压环境下运行。
7. **电力转换与电力调节**
WFF4N65-VB 可用于电力调节模块中,例如电能转换器、稳压电源、脉冲调制电路等。其高电压特性使其能够在电力调节和转换应用中稳定工作,尤其适用于要求高电压耐受性的场合。
### 总结
WFF4N65-VB 是一款高电压MOSFET,特别适用于需要650V高电压保护和中低功率应用的系统。尽管其导通电阻较高,但它能够在电源管理、逆变器、电动工具、照明驱动和家电控制等多个领域提供可靠的功率开关功能,尤其适合需要中等电流和高电压耐受的应用。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12