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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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WFF4N60-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: WFF4N60-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:WFF4N60-VB

WFF4N60-VB是一款高耐压的N通道MOSFET,采用TO220F封装,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和±30V的栅极-源极电压(VGS),适用于多种高压应用。其最大漏极电流(ID)为4A,导通电阻(RDS(ON))为2560mΩ(@VGS=10V)。该MOSFET采用Plannar技术制造,具有较好的稳定性和高压处理能力。WFF4N60-VB适合用于低功率应用中需要较高电压的场合,如电源开关、逆变器、电机驱动等领域。

### 详细参数说明

- **型号**:WFF4N60-VB
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N通道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V:2560mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:4A
- **技术**:Plannar技术

### 适用领域和模块

1. **低功率高压开关应用**
  WFF4N60-VB适用于低功率的高压开关应用。其650V的耐压特性使其能够在高电压环境下稳定工作,常见于电源开关、DC-DC转换器以及开关电源(SMPS)等领域。尽管其最大漏极电流为4A,相对较小的电流负载适合用于低功率的电力控制电路,帮助提高电源转换效率并降低系统损耗。

2. **电机驱动系统**
  在小型电机驱动系统中,WFF4N60-VB可以作为开关元件,特别是电动工具、电风扇、家用电器以及小型工业电机的驱动。其650V的耐压确保它能够处理中等功率的电机负载,并提供可靠的电流控制。该MOSFET在电机控制中的低导通电阻有助于减少能量损失,提高电机效率。

3. **电源管理系统(Power Management)**
  适用于各种电源管理系统,WFF4N60-VB可用于电源转换器、电力因数校正(PFC)电路以及稳压电源等设备。在这些系统中,MOSFET作为高效的开关元件,帮助电能的高效转换,特别是在需要高电压控制的场合。虽然其漏极电流较低,但适用于对功率不高,但需要高电压耐受能力的电源管理模块。

4. **家用电器和消费电子**
  WFF4N60-VB也广泛应用于家电产品中,如冰箱、空调、电风扇等。这些家用电器的电源管理通常需要高压开关控制,以确保设备稳定运行。该MOSFET能有效控制这些设备中的高压电源模块,提高系统可靠性,减少功率损耗,并延长电器的使用寿命。

5. **汽车电子系统**
  在汽车电子系统中,尤其是高压电池管理和电动汽车(EV)系统中,WFF4N60-VB可用于电源管理和电池控制电路。由于其650V耐压特性,MOSFET能够在电动汽车充电系统、电池保护电路以及电源调节模块中稳定工作。此外,其低导通电阻可以有效减少能量损耗,提高系统效率。

6. **电力电子设备**
  作为一种高压MOSFET,WFF4N60-VB可应用于电力电子设备,如电力逆变器、直流电源、开关电源等。在这些设备中,MOSFET作为开关元件,不仅需要承受高电压,还需具备较强的稳定性和耐用性。虽然其最大电流较小,但对于许多中等功率的电力电子系统而言,足以满足需求。

### 总结

WFF4N60-VB是一款650V耐压、4A漏极电流的N通道MOSFET,适用于各种高压电源控制应用。其2560mΩ的导通电阻和Plannar技术,使其在中等功率的开关应用中具有较好的性能。无论是在低功率的电源管理、电机驱动、家电、汽车电子,还是电力电子设备中,WFF4N60-VB都能提供可靠的电力控制方案,并具有较高的电能转换效率和稳定性。

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