企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

WFF12N65-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: WFF12N65-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### WFF12N65-VB MOSFET 产品简介

WFF12N65-VB 是一款采用 TO220F 封装的单N通道 MOSFET,具有650V的漏源电压(VDS)和 ±30V 的栅源电压(VGS)。它采用了平面(Plannar)技术,适用于高电压和中等电流的开关应用。其阈值电压(Vth)为 3.5V,导通电阻(RDS(ON))为 680mΩ @ VGS = 10V,能够承载最大漏极电流(ID)为 12A。该 MOSFET 在高电压环境下表现稳定,能够满足需要可靠电流开关的应用需求。

由于其平面技术(Plannar)和相对较高的导通电阻,WFF12N65-VB 更适合于一些对成本和功率损耗敏感,但电流要求中等的应用。它广泛应用于电源管理、逆变器、开关电源、照明电路等领域,能够在这些应用中提供高效的功率转换和可靠的电流控制。

### WFF12N65-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N通道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:650V
- **栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:680mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:12A
- **技术**:Plannar(平面技术)
- **最大功率耗散(Ptot)**:最大为 75W(根据数据手册具体型号)
- **工作温度范围**:-55°C 到 150°C
- **应用场景**:高压电源、逆变器、电源管理、家电控制、开关电源、照明驱动等。

### WFF12N65-VB MOSFET 应用领域及模块

1. **电源管理和开关电源(SMPS)**
  WFF12N65-VB 适用于高电压电源管理和开关电源系统。其650V的漏源电压使得它能够在AC-DC、DC-DC转换器中工作,尤其适用于要求中等电流的电源模块。在开关电源中,WFF12N65-VB 可以作为开关元件高效控制电流和电压,提供高效的电能转换,减少系统的功率损耗。

2. **逆变器**
  在光伏逆变器、UPS(不间断电源)和电动工具的逆变器模块中,WFF12N65-VB 可以用来转换直流电到交流电。尽管导通电阻较高,但由于其高电压耐受性和中等电流承载能力,适用于中功率的逆变器,特别是在不要求非常低导通损耗的应用中。

3. **家电控制**
  WFF12N65-VB 还广泛应用于家电领域,尤其是家电控制系统中。例如,在空调、电冰箱、电风扇和微波炉等设备中,它用于驱动电机和调节功率。MOSFET 的高电压耐受性能够帮助这些设备在高电压环境下稳定运行。

4. **照明驱动**
  WFF12N65-VB 可用作LED照明驱动电路中的开关元件,特别是在高压AC电源系统下。它的高VDS(650V)使其适用于需要承受较高电压的场合。作为高效率的开关元件,WFF12N65-VB 在降低照明系统的功率损耗、提高系统效率方面具有重要作用。

5. **电动工具**
  在电动工具中,WFF12N65-VB 可用于控制电机的工作状态。它能够在高电压下可靠工作,适用于需要高效电流开关的电动工具系统。由于其平面技术的设计,能够为电动工具提供一个稳定、可靠的工作环境。

6. **电池管理系统(BMS)**
  WFF12N65-VB 可以在电池管理系统中用作功率开关,特别是在电动汽车、电动工具等设备的电池充放电管理中。它能够在高电压环境下可靠工作,帮助系统在充电和放电过程中进行高效的电流控制。

7. **工业自动化控制**
  在工业自动化系统中,WFF12N65-VB 能够作为电机驱动、负载控制、以及功率调节设备中的开关元件。它适合用于工业领域中的各种高电压、高功率应用,提供高效的能量转换,确保工业设备的稳定和高效运行。

### 总结

WFF12N65-VB 是一款高电压MOSFET,适用于需要稳定电流开关的应用,尤其是在中等电流和高电压环境下。它的650V漏源电压使其适用于电源管理、逆变器、家电控制、照明驱动和工业自动化等领域。尽管其导通电阻较高,WFF12N65-VB 仍能够在中高功率应用中表现良好,提供高效的功率转换和可靠的电流控制。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    152浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    137浏览量