--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:WFF12N60-VB
WFF12N60-VB是一款高压N通道MOSFET,采用TO220F封装,设计用于要求较高耐压的电力电子应用。其漏极-源极电压(VDS)为650V,栅极-源极电压(VGS)为±30V,适用于工业电源、逆变器、电机驱动和其他高压电源系统中。该MOSFET具有阈值电压(Vth)为3.5V,确保良好的开关控制性能。
WFF12N60-VB的导通电阻(RDS(ON))为680mΩ@VGS=10V,适合中等功率的高电压电流控制,能够有效减少导通损耗。其最大漏极电流(ID)为12A,适合用于高功率开关应用。MOSFET采用Plannar技术制造,具有较好的开关性能和稳定性。
### 详细参数说明
- **型号**:WFF12N60-VB
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N通道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS=10V:680mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:12A
- **技术**:Plannar技术
### 适用领域和模块
1. **高压电源和逆变器**
WFF12N60-VB非常适合高压电源应用,如交流电源、逆变器、功率转换器以及不间断电源(UPS)等。在这些应用中,MOSFET能够承受高达650V的电压,并能有效地控制电流,确保电力转换效率和稳定性。尤其适用于需要稳定电压和电流的场合,如工业电源和大功率电源转换器。
2. **电机驱动系统**
在电机驱动系统中,WFF12N60-VB可以用作开关元件,尤其是在高电压和大电流的电机控制系统中,如电动工具、电动汽车(EV)驱动、工业机器人和HVAC(暖通空调)系统。其12A的最大漏极电流和低导通电阻使其能够承受较大的电流负载,并且能够减少电机控制中的能量损耗,提升电动机系统的整体效率。
3. **高压开关模式电源(SMPS)**
WFF12N60-VB的650V耐压使其适合在开关模式电源(SMPS)中使用,尤其是在高功率和高压应用中,如电力因数校正(PFC)电路、AC-DC转换器和高频电源中。在这些应用中,MOSFET可以有效地控制电流和电压,减少功率损耗,提高开关效率。该MOSFET的稳定性和导通电阻使其在高压开关应用中表现出色。
4. **家电和工业控制**
WFF12N60-VB适用于高压家电和工业控制系统中的电力管理应用,特别是空调、电动加热器、冰箱和其他大型家电产品。在这些设备中,MOSFET能够高效控制电力流动,确保电气设备运行的稳定性和安全性。由于其低导通电阻和高耐压特性,这款MOSFET能够有效地减少能量损失,延长设备使用寿命。
5. **电池管理系统(BMS)**
在电池管理系统(BMS)中,尤其是电动汽车(EV)和储能系统中,WFF12N60-VB能够有效管理电池充放电过程。其650V的耐压可以承受电池系统中的高电压,保证电池充放电过程中的电流稳定流动。同时,MOSFET的低导通电阻可以减少电池管理过程中的能量损耗,提升系统的整体效率和安全性。
6. **电力传输与配电系统**
由于其高电压承受能力,WFF12N60-VB非常适合用于电力传输和配电系统中,特别是电力变换器和开关设备中。MOSFET可以高效控制电力流向,确保电力的平稳传输,并减少由于过电流或过电压引起的损害。在这些应用中,WFF12N60-VB能够提升电力系统的稳定性和安全性,减少故障发生。
7. **医疗设备电源**
WFF12N60-VB也适用于医疗设备中的电源管理,特别是需要高电压的设备,如医疗X光机、CT扫描仪、激光治疗设备等。在这些设备中,MOSFET能够提供高效、稳定的电能转换,保证设备的长时间高效运行,避免功率损耗和系统故障,提升设备的可靠性。
### 总结
WFF12N60-VB凭借其650V耐压、12A漏极电流和680mΩ的低导通电阻,适用于多种高压电源应用。无论是在工业电源、电机驱动系统、开关模式电源(SMPS)、家电、储能系统,还是电力传输、医疗设备中,WFF12N60-VB都能提供高效且稳定的电力控制和管理。通过其Plannar技术,MOSFET在各类高电压、高功率的电力系统中展现了优异的性能,是高效电源设计中不可或缺的组件。
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