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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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VS7N65AF-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: VS7N65AF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. **VS7N65AF-VB 产品简介**

VS7N65AF-VB 是一款采用 TO220F 封装的单端 N-沟道 MOSFET,具有 650V 的高漏源电压(V_DS)和 ±30V 的最大栅源电压(V_GS)。该 MOSFET 的栅源阈值电压(V_th)为 3.5V,确保在适当的栅电压下能够顺利开启,并具有较高的开关效率。其在 V_GS = 10V 时,导通电阻(R_DS(on))为 1100mΩ,相对较大的导通电阻意味着其适用于一些对开关频率和功率损耗要求不特别高的中低功率应用。最大漏电流(I_D)为 7A,适合需要中等电流承载能力的电源管理系统。该 MOSFET 采用了平面技术(Plannar),提供稳定的性能和较高的耐压特性,能够有效应对高电压和大电流的应用环境。VS7N65AF-VB 适用于电力电子、电源管理、家电设备等领域。

### 2. **VS7N65AF-VB 详细参数说明**

- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单端 N-沟道 MOSFET(Single N-Channel)
- **漏源电压 (V_DS)**: 650V(最大额定值)
- **栅源电压 (V_GS)**: ±30V(最大额定值)
- **栅源阈值电压 (V_th)**: 3.5V(典型值)
- **R_DS(on)(在 V_GS = 10V 下)**: 1100mΩ(导通电阻)
- **漏电流 (I_D)**: 7A(最大额定值)
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **技术**: 平面(Plannar)技术
- **最大功率耗散**: 45W(典型值)
- **开关性能**: 具有适度的开关性能,适合低频和中等频率的开关应用。
- **耐压特性**: 650V 的漏源电压使其能够在高电压应用中稳定工作。
 
### 3. **应用领域和模块示例**

- **电源管理**: VS7N65AF-VB 可用于高电压电源管理系统,尤其是开关电源(SMPS)和电压转换模块。其较高的耐压能力(650V)使其能够在需要高电压和中等电流的电源中提供可靠的性能,广泛应用于工业电源、交流-直流电源和不间断电源(UPS)系统。

- **家电设备**: 在家用电器中,VS7N65AF-VB 可用于电动机控制、电热设备、电冰箱电源以及其他需要稳定电源输出的设备。其高电压能力和适度的导通电阻使其适合于家电设备的功率管理,尤其在高效能电源中能有效减少热量积聚和提高系统效率。

- **电动工具**: 在电动工具中,VS7N65AF-VB 可用于驱动电动机和控制电源。它能够提供稳定的功率传输,并有效承受电动工具在工作过程中产生的高压和高电流。尤其适用于那些具有高电压要求的电动工具,例如电动锯、钻机等。

- **工业控制系统**: VS7N65AF-VB 适用于工业自动化中的功率控制模块,如可编程逻辑控制器(PLC)和工业机器人控制系统。其高漏源电压和较大电流承载能力,特别适合在高功率控制系统中发挥作用。

- **照明系统**: 在大功率照明系统中,VS7N65AF-VB 适用于控制高压灯泡驱动电路,如工业照明和室外照明系统。其高耐压特性可满足不同环境下对高电压的需求,尤其在户外和大型照明设备中具有广泛应用。

- **电力电子设备**: VS7N65AF-VB 可在各种电力电子应用中用于电力转换、变频器和电动机驱动系统。其 650V 的最大耐压和 7A 的电流承载能力,适合用在工业变频驱动、风力发电等电力系统中,确保高效和可靠的电力控制。

VS7N65AF-VB 适合用于多个中高功率领域,特别是在电力电子、电源管理、家电电源和工业应用等领域中,能够提供高电压承载能力、适度的导通电阻和高效能的电源控制性能。

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