--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**UT10N60F-VB** 是一款采用 TO220F 封装的单N通道MOSFET,具有 650V 的高漏源电压(V_DS)和 10A 的漏极电流(I_D)能力。它采用先进的 Plannar 技术,提供较低的导通电阻(R_DS(ON))和较高的开关效率。该 MOSFET 专为高电压、高电流的应用而设计,能够在不同电压条件下进行高效、可靠的开关操作。UT10N60F-VB 适用于各种电力电子应用,如电源管理、电机控制、功率转换等领域,尤其是在需要高压和高电流处理能力的场合表现出色。
### 详细参数说明
- **型号**:UT10N60F-VB
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N通道
- **V_DS(漏源电压)**:650V
- **V_GS(栅源电压)**:±30V
- **V_th(阈值电压)**:3.5V
- **R_DS(ON)(导通电阻)**:
- 830mΩ(V_GS = 10V)
- **I_D(漏极电流)**:10A
- **技术**:Plannar技术
### 适用领域和模块示例
1. **电源管理系统**
UT10N60F-VB具有650V的耐压能力,非常适合用于开关电源(SMPS)中,尤其是在高电压应用中。其低导通电阻(R_DS(ON))有助于降低能量损耗,提高效率,广泛应用于AC-DC转换器、DC-DC转换器和UPS电源等设备中,能够高效地实现电力转换与管理。
2. **电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)**
在电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统、功率转换系统和充电器中,UT10N60F-VB由于其高耐压和高电流能力,非常适合用于电池组的电流调节、电压控制及充电模块。650V的额定漏源电压使其适合用于电动汽车的高压电池和驱动系统。
3. **工业电机控制**
UT10N60F-VB适用于电机控制模块,尤其是需要高压操作的工业电机驱动系统。它能够高效处理高电压电机的电流控制,并且具有较低的导通电阻,使其在电机启动和运行时能够提供高效的电流切换,从而优化系统的性能和降低功率损失。
4. **太阳能逆变器和可再生能源系统**
在太阳能逆变器和其他可再生能源应用中,UT10N60F-VB作为开关元件,能够帮助进行高效的电流和电压转换。它的高耐压特性使其能够稳定工作于高压环境下,并将DC电能转化为适合家庭或工业使用的AC电力,同时减少能量损耗。
5. **负载开关与功率调节**
UT10N60F-VB的高电流承载能力和低导通电阻使其在负载开关和功率调节模块中表现出色。例如,它可以用于高功率的开关电源中,如高功率LED驱动电源、无线电能传输等领域,能够确保高效的电流切换和稳定的工作状态。
6. **家电和电气设备**
该MOSFET还广泛应用于家电产品的电源管理模块,如洗衣机、电热水器、空调等。它的高电流与高电压能力使其能够应对这些电气设备的高功率需求,同时保证设备的稳定性与高效能。
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