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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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UT08N60F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: UT08N60F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:

**UT08N60F-VB** 是一款采用 TO220F 封装的单通道 N 型 MOSFET,适用于高电压、高功率的开关应用。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS) 额定值,可以承受较高的工作电压,适合在工业、电力和汽车电子等领域使用。通过采用平面(Plannar)技术,UT08N60F-VB 在保证高电压和大电流工作的同时,还能够提供较低的导通电阻,优化了功率损耗并提高了整体效率。该器件的 Vth(开启电压)为 3.5V,适合在常规驱动电压下稳定工作,最大漏电流可达 10A。

### 详细参数说明:

- **型号**: UT08N60F-VB  
- **封装**: TO220F  
- **配置**: 单通道 N 型  
- **VDS(漏源电压)**: 650V  
- **VGS(栅源电压)**: 30V(±)  
- **Vth(开启电压)**: 3.5V  
- **RDS(ON)(导通电阻)**: 830mΩ @ VGS = 10V  
- **ID(最大漏电流)**: 10A  
- **技术**: 平面(Plannar)技术

### 应用领域与模块举例:

1. **开关电源(SMPS)**  
  UT08N60F-VB 在开关电源模块中具有广泛应用,特别是对于高压输入的 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器以及 UPS 系统。其 650V 的耐压能力使其适用于高压电源输入,同时低导通电阻减少了能量损失,提高了系统效率,尤其在高负载情况下有着良好的表现。

2. **电力电子变换器**  
  在工业应用中,尤其是电力电子变换器(如逆变器、直流电动机驱动器等)中,UT08N60F-VB 可以用于功率转换与开关控制。其 10A 的最大漏电流适合驱动大功率电机或负载,同时由于低导通电阻,该 MOSFET 能够有效减少热量生成,保证系统长时间稳定运行。

3. **电动汽车与电池管理系统**  
  在电动汽车的电池管理系统(BMS)中,UT08N60F-VB 可用于电池电压监控、充放电控制及保护电路。其较高的耐压和较低的 RDS(ON) 特性使其非常适用于需要高效率电力控制和较大电流处理能力的电池管理和电动汽车充电系统。

4. **工业电机驱动系统**  
  由于 UT08N60F-VB 的高电流承受能力和高耐压,其非常适合用于工业电机驱动系统,尤其是在那些需要高可靠性、高效能的自动化设备、工控系统以及机器人驱动中。该 MOSFET 具有较低的开关损失,有助于提高电机驱动系统的效率和运行稳定性。

5. **家用电器与电气设备**  
  该 MOSFET 也适用于家用电器如空调、洗衣机、微波炉等设备的电源控制电路。由于其高耐压和较低的导通电阻,它在家用电器中能有效提高系统的功率转换效率,减少不必要的能量损耗。

6. **太阳能逆变器**  
  在太阳能逆变器中,UT08N60F-VB 可用于直流电转换为交流电的高效开关。在太阳能发电系统中,高耐压和低导通电阻的特性使得 UT08N60F-VB 能够高效、稳定地工作,保证逆变器在高压和大电流条件下的高效能。

### 总结:
UT08N60F-VB 作为一款 650V 的 N 型 MOSFET,具有广泛的应用领域,特别是在高压、高功率电源控制、工业电力转换、汽车电子和家用电器等方面。在这些领域中,它通过降低导通电阻、提高开关速度及承受大电流能力,有助于提高系统的整体效率和可靠性。

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