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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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UT05N50F-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: UT05N50F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**UT05N50F-VB** 是一款具有 TO220F 封装的单极性 N 通道功率 MOSFET,设计用于高电压应用,具有 650V 的漏极-源极最大电压(VDS)。该产品采用平面技术(Plannar),并支持最大栅极电压 30V(±V)。其栅极阈值电压(Vth)为 3.5V,具有典型的导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ@VGS=10V,最大电流为 7A。此 MOSFET 适用于高电压、大电流控制应用,广泛应用于开关电源、功率转换器和各种电子设备中。

### 详细参数说明

- **型号**: UT05N50F-VB
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单极性 N 通道(Single-N-Channel)
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术**: 平面技术(Plannar)
- **最大功率耗散**: 75W(假设具体功率耗散值需参考数据手册)
- **结温范围**: -55°C 至 +150°C
- **特性**: 低 RDS(ON) 优化开关性能,适合高电压、大电流应用。

### 应用领域和模块举例

1. **开关电源(SMPS)**  
  UT05N50F-VB 可用于高效率的开关电源(SMPS)模块,作为开关元件实现高电压、高电流的控制。在这些应用中,它能有效降低导通损耗并提高整体系统效率。

2. **功率转换器(Power Converters)**  
  在直流-直流(DC-DC)或交流-直流(AC-DC)转换器中,UT05N50F-VB 可作为主开关元件,承受高电压、稳定传输高功率。其平面技术(Plannar)使其具有较低的导通电阻,适合高效率的电源转换需求。

3. **电动工具与家电**  
  在家电设备和电动工具中,UT05N50F-VB 可用于电源管理系统的功率开关,控制电机驱动及负载调节,保证系统运行的稳定性和效率。

4. **电动车充电模块**  
  在电动车充电模块中,UT05N50F-VB 可用于实现高效的电池充电管理。由于其耐高压特性,它能够在充电过程中确保电池与电源之间的电压转换高效而稳定。

5. **UPS(不间断电源)系统**  
  在 UPS 系统中,UT05N50F-VB 可以作为高电压应用中的电力开关,在电力逆变器和整流器中发挥重要作用,确保在电力中断时的无缝切换,并提供稳定的电力供应。

以上是 UT05N50F-VB 的部分应用示例,适用于高电压、大电流的电力转换与开关控制领域,尤其在需要低导通电阻和高耐压的场合表现优异。

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