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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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UK2996L-TF3-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: UK2996L-TF3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**UK2996L-TF3-VB** 是一款高电压的单极性N沟MOSFET,采用TO220F封装,设计用于高效的电力管理应用。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS),适合高电压环境下的开关和功率控制任务。其阈值电压(Vth)为3.5V,能够有效控制开关操作。MOSFET的RDS(ON)为830mΩ@VGS=10V,这意味着该产品在导通时具有较低的导通电阻,能够提供更高的效率。该型号的最大漏极电流(ID)为10A,适用于需要高电流控制的场合。此型号使用的是**Plannar技术**,是一种成熟的制造工艺,能够提供稳定的电气性能和较长的使用寿命。

### 详细参数说明

| 参数                | 数值          |
|---------------------|---------------|
| **封装类型**        | TO220F        |
| **配置**            | 单极N沟MOSFET  |
| **漏极-源极电压 (VDS)** | 650V          |
| **栅源电压 (VGS)**   | ±30V          |
| **阈值电压 (Vth)**   | 3.5V          |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 830mΩ@VGS=10V |
| **最大漏极电流 (ID)** | 10A           |
| **技术类型**         | Plannar技术   |

### 产品应用领域与模块举例

1. **电源管理模块**:
  由于其高VDS和低RDS(ON),UK2996L-TF3-VB非常适用于电源开关模块。在电源供应器、UPS系统以及DC-DC转换器中,MOSFET的高效率能够减少热量产生并提高系统的稳定性。其最大电流能力(10A)使其适合用于中到高功率的电源系统,提供可靠的电源转换和电流调节。

2. **电动汽车和充电系统**:
  在电动汽车的充电系统中,MOSFET通常用于高功率DC-DC转换和电池管理系统。UK2996L-TF3-VB凭借其650V的高VDS能力,能够处理高电压的充电过程,确保安全且高效的电流转换。此外,其低RDS(ON)可以提高系统的能效,延长电池的使用寿命。

3. **工业控制和驱动电路**:
  在工业自动化系统中,UK2996L-TF3-VB适用于驱动电机、传动系统及自动化控制设备。在这些应用中,MOSFET常用于切换高功率负载,尤其是使用了高电压电源的应用。该MOSFET的高电压耐受能力使其在控制高功率工业设备时表现出色,能够承受负载变化并确保控制系统的稳定运行。

4. **家电应用**:
  对于高功率家电(如空调、冰箱、电热水器等),UK2996L-TF3-VB同样具有重要应用。在这些家电中,MOSFET用于高效的电力开关和调节。其低导通电阻能够减少能源浪费,提高设备效率,并延长元件的使用寿命。

### 总结

UK2996L-TF3-VB MOSFET,凭借其高电压承受能力、低RDS(ON)和10A的电流承载能力,适用于广泛的高功率、高电压应用。它在电源管理、电动汽车、工业控制和家电等多个领域具有良好的应用前景,能够提供高效、稳定的电流控制。

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