--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
**UK2996L-TF3-T-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的 **单极-N通道** MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),适用于高压开关应用。该型号MOSFET采用了**平面技术**(Planar technology),并且具有较低的**导通电阻(RDS(ON))**,最大为830mΩ,在VGS=10V时提供了较低的功率损耗。这使得它在高压、大电流环境下具有较好的性能和热稳定性。
其**门极-源极电压(VGS)**的承受能力为30V(±30V),适应大多数常见的控制电压要求。它的**阈值电压(Vth)**为3.5V,适合需要精确开关控制的场合。
### 2. 详细参数说明
- **型号**: UK2996L-TF3-T-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单极-N通道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极电压(VDS)**: 650V
- **门极-源极电压(VGS)**: ±30V
- **阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流(ID)**: 10A
- **技术**: 平面技术(Planar)
- **最大功耗(Pd)**: 125W(根据散热设计)
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
### 3. 应用领域和模块示例
**高压电源管理**
由于UK2996L-TF3-T-VB具有650V的VDS,它适用于需要高压控制的电源管理系统。在电源转换器(如AC-DC转换器和DC-DC转换器)中,尤其是在工业和能源系统中,能够有效控制电流,并且其较低的RDS(ON)能够减少功率损耗,提升能效。
**电动汽车和充电站**
在电动汽车(EV)电池管理系统(BMS)及充电站中,UK2996L-TF3-T-VB作为开关元件,在高压DC电流的控制中发挥重要作用。MOSFET能够高效地控制电池充放电路径,同时耐受高电压,并减少系统热量积累,保证系统稳定性和长效性。
**逆变器和电力转换**
在光伏(PV)系统及风能逆变器中,UK2996L-TF3-T-VB是一个理想的选择。其650V的高电压承受能力使其能够在逆变器中稳定工作,处理来自太阳能板或风力发电机组的高电压输入,并将其转换为适合电网或电池的电流。它的低导通电阻和较高的ID允许高效的电能转换,减少了系统的总体能耗。
**开关电源(SMPS)**
UK2996L-TF3-T-VB可广泛应用于开关电源(SMPS)设计中,尤其是高压输入的场合。MOSFET的高耐压和低RDS(ON)特性使其在高效能电源管理中非常关键,能够处理较大负载而不会导致过热,同时保持较低的开关损耗。
**工业驱动与电机控制**
在工业驱动和电机控制应用中,UK2996L-TF3-T-VB可以作为驱动MOSFET,用于控制电机的功率开关。它的高电压承受能力使其能够适应高压电机驱动系统,尤其是在需要高精度和高效能的电动机控制应用中发挥关键作用。
**家用电器及消费电子产品**
在家电如洗衣机、空调以及其他大功率家用电器中,该MOSFET可用于高压开关电路。由于其低RDS(ON)和良好的热稳定性,它适用于家庭电源管理、恒温控制和安全保护电路等领域。
---
总的来说,**UK2996L-TF3-T-VB** 是一款非常适合高电压、大电流应用的MOSFET,在能源、电力、工业驱动等领域中具有广泛的应用前景。
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