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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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UK2996L-TF1-T-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: UK2996L-TF1-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. **产品简介:**
UK2996L-TF1-T-VB 是一款高性能单极 N 通道功率 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高电压和高功率应用。该器件的最大漏源电压(VDS)为 650V,具有较低的导通电阻(RDS(ON))830mΩ@VGS=10V,能够提供稳定的 10A 电流。它的开启阈值电压(Vth)为 3.5V,适用于需要高可靠性和高效率的电源管理系统。MOSFET 采用平面工艺(Plannar)技术,具有较好的热性能和稳定的开关特性。

### 2. **详细参数说明:**
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单 N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:650V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V
- **开启阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:830mΩ(VGS=10V)
- **最大漏电流 (ID)**:10A
- **技术工艺**:平面工艺(Plannar)
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **封装尺寸**:TO220F
- **应用领域**:适用于高电压电源、逆变器、DC-DC 转换器等高功率转换系统。

### 3. **应用领域与模块示例:**

- **电源管理系统**:UK2996L-TF1-T-VB 具有较高的 VDS(650V)和较低的 RDS(ON),使其非常适用于高电压电源管理系统,尤其是在电源转换器中,可以提高效率并减少能量损失。适用于 UPS(不间断电源)、电力逆变器等设备。
 
- **电动汽车充电系统**:在电动汽车充电系统中,这款 MOSFET 可用于直流-直流转换器或电池管理系统(BMS),帮助高效地管理充电和电池电压转换。由于其耐高电压和高电流承载能力,能够确保在充电过程中提供稳定的性能。

- **功率逆变器**:对于光伏系统和风能逆变器,UK2996L-TF1-T-VB 提供了高效的开关性能和耐高压能力,能够在不同负载条件下提供稳定的转换效率。其平面工艺技术保证了低热损失和高开关速度,非常适合用于大规模电能转换应用。

- **电动工具电源模块**:在电动工具的电源模块中,UK2996L-TF1-T-VB 可用于 DC-DC 转换器中,确保高效的电池充电和电源转换。其高电压处理能力和高导通电流能力使其能够应对多种高功率设备的需求。

这些示例展示了该 MOSFET 在高电压、高电流以及需要高开关频率和低导通损失的系统中的多种应用。

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