--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### TSM7N65CI-VB MOSFET 产品简介
TSM7N65CI-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于多种高电压、低功耗和高效率的应用。其最大漏源电压(V_DS)为 650V,栅源电压(V_GS)为 ±30V,阈值电压(V_th)为 3.5V,具有较低的导通电阻(R_DS(on))。在 V_GS = 10V 时,R_DS(on) 为 1100mΩ,这使得它能够在开关频率较高的应用中提供较低的损耗,提升整体效率。最大漏极电流(I_D)为 7A,使其适用于要求中等电流和高电压的场合。
该 MOSFET 使用了 Plannar 工艺技术,在开关速度、可靠性及热管理方面表现优异。凭借其稳定的性能和强大的工作能力,TSM7N65CI-VB 被广泛应用于电源管理、电动机驱动、高效能开关等领域,适合需要高开关效率和较高工作电压的环境。
### TSM7N65CI-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型(Package)**:TO220F
- **配置(Configuration)**:Single-N-Channel
- **最大漏源电压(V_DS)**:650V
- **最大栅源电压(V_GS)**:±30V
- **阈值电压(V_th)**:3.5V
- **导通电阻(R_DS(on))**:
- 1100mΩ(V_GS = 10V)
- **最大漏极电流(I_D)**:7A
- **工艺技术(Technology)**:Plannar
- **最大功率耗散(P_D)**:未提供
- **工作温度范围**:未提供
- **开关速度**:优化的开关特性,适合高频应用
- **应用领域**:电源管理、电动机驱动、电压变换、高效能开关等
### TSM7N65CI-VB MOSFET 应用领域与模块举例
1. **高效电源管理系统(Power Management Systems)**
TSM7N65CI-VB 在电源管理系统中能够提供非常低的导通电阻,帮助优化能量转换效率。它可应用于各种 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、逆变器等电源模块,特别适合高电压、高电流环境。通过减少功率损耗,它有助于延长电池使用寿命并提高设备的整体能效。
2. **电动机驱动系统(Motor Drive Systems)**
在电动机驱动系统中,TSM7N65CI-VB 具有较高的漏极电流能力,适用于工业自动化、家电及电动工具的电机驱动模块。该 MOSFET 能够在电机控制、变频器(VFD)和伺服电机控制中提供精准的电流调节和高效的功率转换,确保电动机高效、平稳运行。
3. **同步整流(Synchronous Rectification)**
在电源转换过程中,特别是在高效能的同步整流电路中,TSM7N65CI-VB 的低导通电阻能够显著减少电能损失。其广泛应用于开关电源中,通过同步整流技术提高转换效率,降低损耗,减少热量产生,优化整体系统性能。
4. **高频开关电源(High-Frequency Switching Power Supplies)**
TSM7N65CI-VB 具有较低的导通电阻和较高的电压承受能力,非常适用于高频开关电源。它能够在高频工作状态下保持较低的功率损耗,并提高开关速度,特别适合用于电源适配器、LED 驱动电源和其他高效能电源模块中。
5. **家电和消费电子产品(Home Appliances and Consumer Electronics)**
TSM7N65CI-VB 可应用于各种消费电子产品的电源模块中,尤其是对高效率和低功耗要求较高的场景。它能够为电视机、音响、家电、LED 照明等设备提供稳定的电源支持,确保设备高效、可靠地运行。
6. **工业电源系统(Industrial Power Systems)**
在工业电源系统中,TSM7N65CI-VB 可用于电力转换、控制系统和不间断电源(UPS)系统。其高电流处理能力和稳定性使其适合用于需要稳定高效电源的工业环境,提升电力系统的可靠性与效率。
7. **汽车电子(Automotive Electronics)**
在汽车电子领域,TSM7N65CI-VB 可以应用于汽车电源系统、车载充电器、逆变器及其他电子控制模块。其高电压和大电流能力使其成为车载电源系统中非常理想的选择,能够提供高效、稳定的电力转换和管理,尤其适合电动汽车和混合动力汽车等现代汽车应用。
8. **电池管理系统(Battery Management Systems)**
TSM7N65CI-VB 的低导通电阻和高效开关特性使其非常适合用于电池管理系统。它能够在电池充放电过程中提供高效的能量转换,保证电池组的稳定工作,并延长电池使用寿命,尤其适合电动工具、无人机、便携式设备等应用。
### 总结
TSM7N65CI-VB 是一款适用于中等电流和高电压应用的 N-Channel MOSFET,具有优秀的开关性能和低导通电阻。无论是在高效电源管理、电动机驱动、同步整流、家电、工业控制系统,还是汽车电子和电池管理系统中,它都能够提供高效、低功耗的解决方案。通过其优化的性能,TSM7N65CI-VB 能显著提高系统效率,降低功率损失,提升系统可靠性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12