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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TSM7N65CI CO-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TSM7N65CI CO-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### **产品简介:**

TSM7N65CI CO-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,设计用于高电压和中等电流的开关应用。其 VDS 最大值为 650V,最大漏极电流 ID 可达 7A,适合用于高电压和高可靠性要求的功率管理系统。该 MOSFET 采用 Plannar 技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON) 为 1100mΩ @VGS=10V),并且能够在高VDS电压下稳定工作,广泛应用于各种电源转换、逆变器以及其他高电压开关系统。它的 Vth 为 3.5V,在 10V 的栅极驱动下能够提供高效的电流导通性能,适合用于各种电力电子应用。

### **详细参数说明:**

- **封装**: TO220F  
- **配置**: 单 N 沟道  
- **VDS (漏极源极电压)**: 650V  
- **VGS (栅极源极电压)**: ±30V  
- **Vth (栅极阈值电压)**: 3.5V  
- **RDS(ON) (导通电阻)**:  
 - 1100mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏极电流 (ID)**: 7A  
- **技术**: Plannar  
- **最大功率损耗 (Ptot)**: 100W (根据工作环境而定)  
- **工作温度范围**: -55°C 到 +150°C

### **应用领域和模块举例:**

1. **高压电源管理和转换:**
  TSM7N65CI CO-VB 在高压电源管理系统中有广泛应用,特别是在需要承受650V电压的应用场合。它常用于AC-DC电源转换、电力变换器和逆变器等高电压电源模块中。由于其高压承受能力和稳定的导通特性,TSM7N65CI 适用于工业电源、太阳能逆变器和UPS电源等系统中,提供稳定和高效的电力转换。

2. **逆变器和电动驱动系统:**
  作为单 N 沟道 MOSFET,TSM7N65CI CO-VB 在电动机驱动和逆变器应用中也表现优异。它可以用于高压DC-AC逆变器中,提供高效率的电流转换。特别适合用于风能、太阳能发电系统中的逆变器模块,支持稳定、高效的电力输出,并能够适应电动机驱动系统中的电流调节需求。

3. **功率因数校正 (PFC) 模块:**
  在功率因数校正电路中,TSM7N65CI CO-VB 可作为高电压开关组件使用。功率因数校正是现代电源设计中常见的需求,特别是在开关电源中,TSM7N65CI 能通过其高效率转换来提高电力系统的稳定性和效率,减少谐波并提高电能利用率。

4. **汽车电源管理:**
  由于其较高的电压耐受能力和较低的导通电阻,TSM7N65CI CO-VB 也适用于电动汽车和混合动力汽车中的电源管理系统,特别是在电池管理、逆变器以及电动机驱动模块中。在电动车的电池管理系统中,它提供了可靠的电流开关控制,以确保电池和电动机之间的稳定电力传输。

5. **工业控制系统:**
  TSM7N65CI CO-VB 适用于各种工业自动化和控制系统中,特别是在高功率电源和电机控制系统中。它可作为电动机控制系统中的开关元件,也可应用于工业电源系统和电流限制保护电路中,帮助实现精确的电流控制和高效的能量转换。

6. **家用电器和消费电子:**
  TSM7N65CI CO-VB 由于其稳定的开关特性和较高的VDS,它在家用电器,如空调、洗衣机等的电源模块中也有应用。特别是在需要稳定工作在高电压环境下的应用中,TSM7N65CI 为家电提供可靠的电流切换控制和高效的功率转换能力。

### **总结:**
TSM7N65CI CO-VB 是一款高压、低导通电阻的单 N 沟道 MOSFET,适用于各种高电压、低功耗的电源管理、逆变器、电动机驱动及工业应用。其优异的开关性能和高效率使其成为高电压开关电源、电动驱动和功率因数校正电路中的理想选择。

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