--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### TSF8N65M-VB MOSFET 产品简介
TSF8N65M-VB 是一款单极性 N 通道功率 MOSFET,具有 650V 的耐压能力,适用于高电压驱动的应用。它采用 TO220F 封装形式,能够承受高电压和较高电流负载。其通过使用平面技术(Plannar)制造,提供了出色的开关性能和较低的导通电阻(RDS(ON)),是高效能电源管理和高压转换等应用的理想选择。
### TSF8N65M-VB MOSFET 参数说明
- **封装(Package)**: TO220F
- **配置(Configuration)**: 单极性 N 通道(Single-N-Channel)
- **耐压(VDS)**: 650V
- **栅源电压(VGS)**: ±30V
- **阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 1100mΩ(在 VGS=10V 时)
- **最大漏电流(ID)**: 7A
- **技术(Technology)**: 平面技术(Plannar)
### TSF8N65M-VB MOSFET 适用领域和模块
1. **电源管理**:
TSF8N65M-VB 在高压电源管理中发挥重要作用,尤其适合用于开关电源(SMPS)以及电池管理系统。这款 MOSFET 由于其较高的 VDS 和较低的 RDS(ON),可以有效降低能量损失,提高系统的效率,适用于大功率电源模块。
2. **电动工具和家用电器**:
在电动工具和家用电器的电源转换模块中,这款 MOSFET 提供了高效的电流开关能力,帮助设备实现更高的功率密度和更长的使用寿命。由于其耐压高,能够承受电动工具中常见的瞬时过电压,确保了系统的可靠性。
3. **功率变换器**:
TSF8N65M-VB 广泛应用于功率变换器(如逆变器和直流-交流转换器)。其高耐压和低导通电阻使其非常适合用作 DC-AC 或 AC-DC 转换过程中关键的开关元件,能够有效降低能量损失并提高整体转换效率。
4. **电动汽车充电系统**:
在电动汽车充电站的电力电子模块中,TSF8N65M-VB 可以作为功率开关元件,帮助高效地转换和管理电池的充电过程,特别是在需要高耐压和高稳定性的应用场合。
5. **LED 驱动电路**:
在LED驱动电路中,TSF8N65M-VB MOSFET 提供了稳定的开关性能,尤其适用于高压 LED 电源中的亮度调节和恒流控制。其高 VDS 和低 RDS(ON) 能有效减少功率损耗,提高系统的总体效率。
这些应用示例显示了 TSF8N65M-VB MOSFET 在高电压、高效率系统中的重要性。其独特的性能特征使其能够广泛适用于各种高压电源转换、驱动和保护电路中。
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