企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

TSF840M-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TSF840M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

**TSF840M-VB** 是一款高电压单极性N型MOSFET,采用TO220F封装,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和±30V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的栅极阈值电压(Vth)为3.5V,开启时的导通电阻RDS(ON)为680mΩ(在VGS=10V时)。其最大持续电流为12A,采用平面技术(Plannar Technology)设计,适合高效率、可靠性和高电压要求的应用。

该MOSFET具有较低的导通电阻,适用于需要较高电流驱动和高压环境的场合,提供高效能和热管理能力,特别是在电源管理、电动机驱动和开关电源等应用领域中。

### 2. 详细参数说明

- **型号**: TSF840M-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N型MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压(VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS=10V
- **最大持续漏极电流(ID)**: 12A
- **技术**: 平面技术(Plannar)
- **最大功耗(Ptot)**: 90W(典型值,根据具体应用可提供更详细的热参数)
- **工作温度范围**: -55°C 到 +150°C
- **热阻**: 1.8°C/W(从结到散热器)
- **应用领域**:
 - 开关电源(SMPS)
 - 电动机驱动
 - 直流/交流电源转换
 - 电池管理系统(BMS)
 - 电动工具驱动
 - LED驱动

### 3. 适用领域和模块举例

**1. 开关电源(SMPS)**  
TSF840M-VB 可用于开关电源中的高压开关模块,尤其适用于在高效率要求下工作的应用,如电池充电器、UPS(不间断电源)以及高功率适配器。其高VDS、低导通电阻的特性使其适用于高效能电源转换器,在开关过程中减少能量损失,提升整体系统效率。

**2. 电动机驱动**  
在电动机驱动系统中,TSF840M-VB 的高电压和高电流特性使其成为理想选择。特别是在需要驱动高功率电动机的工业自动化设备、机器人控制以及电动工具驱动中,MOSFET能够快速响应栅极驱动信号,并提供稳定的电流路径,确保驱动系统高效运转。

**3. 电池管理系统(BMS)**  
在电池管理系统(BMS)中,TSF840M-VB 可以作为电池组中的开关控制元件,控制充电与放电过程。其低导通电阻和高电压承受能力使其在电池管理中非常可靠,能够承受较高的电压而不会引起过度热损耗,延长系统的整体使用寿命。

**4. LED驱动电源**  
TSF840M-VB 还适用于LED驱动电源,特别是在需要稳定电流控制和高效率的应用中。MOSFET能够快速响应LED驱动电源的开关频率变化,同时承受高电压,从而提供稳定的电流供应,保证LED的长时间稳定运行。

**5. 电动工具驱动模块**  
TSF840M-VB 由于其出色的电流承载能力和低导通损耗,广泛应用于电动工具的电机驱动电路中。在工具的快速启停或高功率运行情况下,能够提供稳定的驱动信号,避免电流波动引发性能衰退或电路损坏。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    152浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    138浏览量