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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TSF7N60S-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TSF7N60S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. **产品简介 - TSF7N60S-VB**

TSF7N60S-VB 是一款单极 N 型沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高压开关应用。该型号具有650V的漏极到源极电压 (V_DS) 和30V的栅极驱动电压 (V_GS),以及具有 3.5V 的阈值电压 (V_th)。其 R_DS(ON) 为680mΩ@V_GS=10V,最大持续漏电流为12A。采用平面技术(Plannar Technology)制造,这种设计能够有效控制导通损耗,并提供高电压和电流的承载能力。TSF7N60S-VB 广泛用于电力管理和高功率开关应用,如电源、变换器、开关电源和电机控制等。

### 2. **详细参数说明**

- **型号**: TSF7N60S-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单极 N 型沟道(Single-N-Channel)
- **漏极到源极电压 (V_DS)**: 650V
- **栅极驱动电压 (V_GS)**: ±30V
- **阈值电压 (V_th)**: 3.5V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**: 680mΩ @ V_GS=10V
- **最大漏极电流 (I_D)**: 12A
- **最大功率耗散**: 75W(具体功率根据热阻和工作条件可计算)
- **技术类型**: 平面技术(Plannar Technology)
- **最大反向恢复时间**: (Typical) 300ns(取决于应用频率与操作条件)
- **开关特性**:
 - 开通延迟时间: 30ns
 - 关断延迟时间: 50ns
 - 反向恢复时间: 150ns
- **最大栅极源极电压**: ±30V
- **最大漏极源极电流 (I_D)**: 12A

### 3. **应用领域与模块示例**

- **电源管理**: TSF7N60S-VB 可广泛应用于各种高压开关电源中,尤其是需要高电压和电流能力的应用场合,如交流-直流 (AC-DC) 电源适配器、LED 驱动器和电力转换器。由于其低 R_DS(ON) 和高耐压能力,它能够提供更高效的能量转换,降低损耗。
 
- **电机控制**: 在电机驱动模块中,TSF7N60S-VB 被用作高功率开关器件,用于控制直流电机和步进电机。它适用于电动工具、家电、无人机等高效能电机控制系统中,能够承受高电流和提供快速响应。

- **电动汽车和电池管理系统**: TSF7N60S-VB 可用于电动汽车的电池管理和充电系统。由于其能够处理较高电压,适合用于电池组管理和电池充电器设计中,保证系统的稳定性和效率。

- **逆变器和可再生能源系统**: 在太阳能逆变器和风能转换器中,TSF7N60S-VB 可作为主要的开关元件,支持高效能的电力转换,尤其在处理来自太阳能板或风力发电机的直流电流时,提供所需的耐压和高效切换特性。

- **过电压保护与电源切换**: 由于其耐高压和耐高电流的能力,TSF7N60S-VB 可用于各种过电压保护系统中,包括电力变压器、配电网络保护模块等,确保电力系统的安全性和稳定性。

综上所述,TSF7N60S-VB 是一款高性能的 MOSFET,适用于多种高压、大电流、高效能转换的电力管理应用。其在不同领域的广泛适用性使其成为关键的电力开关元件。

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