--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### TSF4N60M-VB MOSFET 产品简介
TSF4N60M-VB 是一款具有高耐压能力的 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压应用设计。该 MOSFET 的最大漏源电压(VDS)为 650V,适用于需要承受高电压的电力电子设备和系统。它具有较高的导通电阻(RDS(ON) = 2560mΩ),适用于电流要求较低的应用,最大漏极电流(ID)为 4A。
这款 MOSFET 采用平面技术(Plannar),其栅源电压(VGS)最大值为 ±30V,阈值电压(Vth)为 3.5V,能够在较低的栅电压下启动。TSF4N60M-VB 在工业电源管理、电力转换以及电动工具等应用中具有良好的性能表现。TO220F 封装提供了卓越的热管理,使其能够在较高功率应用中稳定工作。
### TSF4N60M-VB MOSFET 详细参数说明
- **型号**:TSF4N60M-VB
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单 N 型通道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(VDS)**:650V
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- @ VGS = 10V:2560mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:4A
- **技术类型**:平面技术(Plannar)
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **封装尺寸**:TO220F
- **典型应用**:电源管理、电力转换、电动工具、电源适配器等
### TSF4N60M-VB MOSFET 应用领域与模块
1. **高压开关电源(SMPS)**
- TSF4N60M-VB 在高压开关电源中可用于功率转换和电压调节。尽管它的导通电阻较高,但其 650V 的耐压特性使其特别适用于需要高电压保护的开关电源电路,尤其是在需要承受电网电压波动的环境下,能够保证系统的稳定性和安全性。
2. **工业电源与电力转换**
- 在工业电源和电力转换领域,TSF4N60M-VB 能够高效地将 AC 电压转换为 DC 电压或在逆变器中进行功率转换。它常用于高电压直流电源的整流和开关控制中,提供稳定的电流和电压支持。
3. **电动工具与家电**
- TSF4N60M-VB 在电动工具和家电中有着重要应用,特别是在需要高电压控制和功率调节的设备中。例如,它可用于高功率电动工具、空调、洗衣机等设备的电源管理模块中,提供稳定的电流和电压输出,确保设备在复杂环境下的正常运行。
4. **电力系统与高压电源**
- 在电力系统中,TSF4N60M-VB 可以用于电力分配、控制系统和保护电路。由于其高耐压能力,它能够在高电压电网中起到重要的保护作用,避免电力设备因过压或电压突变而受到损害。
5. **逆变器应用**
- TSF4N60M-VB 在逆变器系统中广泛应用,尤其是在光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中,作为高效的开关元件进行直流电转换为交流电。高达 650V 的耐压能力,使其能够轻松应对来自光伏板或电池组的高电压输入。
6. **电池管理系统(BMS)**
- 在电池管理系统中,TSF4N60M-VB 可作为功率开关元件,应用于高电压电池的充放电管理。它能够有效地控制电池组的充电电流和放电电流,保持电池在安全的工作范围内,防止过充或过放电现象。
7. **电源适配器与电源模块**
- TSF4N60M-VB 在电源适配器中应用广泛,特别是对于需要耐高压的 AC-DC 转换模块。它可用于手机充电器、笔记本电源适配器以及其他电子设备的电源模块,提供高效能的电源转换,确保设备的安全稳定运行。
### 总结
TSF4N60M-VB 是一款高电压耐受能力的 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装,具有 650V 的耐压和较高的导通电阻(2560mΩ)。它适用于电源管理、电动工具、电力转换、逆变器等多个高电压领域。平面技术的应用使其能够在高电压和高电流负载下稳定工作,提供可靠的性能和长期的使用寿命。对于那些对耐压要求较高的应用,TSF4N60M-VB 是一款理想的选择。
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