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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TSF10N60M-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TSF10N60M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:TSF10N60M-VB

TSF10N60M-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道功率 MOSFET,具备高耐压能力,适用于高压电源开关和功率转换应用。该型号的最大漏源电压(VDS)为 650V,门源电压(VGS)最大可承受 30V,适合用于高电压环境下的功率控制。TSF10N60M-VB 采用了平面技术(Plannar),该技术使得 MOSFET 在高电压和大电流应用中具有良好的稳定性和较低的开关损耗。它的导通电阻(RDS(ON))为 680mΩ(在 VGS=10V 时),使其在功率转换过程中表现出色,能有效降低功率损耗。TSF10N60M-VB 在电力电子设备、家电、工业控制系统以及高功率开关电源等领域中有着广泛的应用。

### 详细参数说明:

- **型号**: TSF10N60M-VB
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单 N 通道(Single-N-Channel)
- **最大漏源电压(VDS)**: 650V
- **最大栅源电压(VGS)**: ±30V
- **门槛电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 在 VGS = 10V 时:680mΩ
- **最大漏极电流(ID)**: 12A
- **最大脉冲电流(IDM)**: 60A(最大脉冲时间为10ms)
- **功率耗散(Pd)**: 80W(最大功率耗散取决于散热条件)
- **开关时间(tr, tf)**: 快速开关特性,具体数值依赖于驱动条件
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **技术**: 平面(Plannar)技术
- **引脚数**: 3引脚(TO220F封装)

### 适用领域和模块:

TSF10N60M-VB 由于其高耐压、低导通电阻及良好的开关特性,广泛应用于高压电源和功率转换系统。以下是一些典型的应用领域和模块:

1. **开关电源(SMPS)**:
  - TSF10N60M-VB 在开关电源(SMPS)中作为功率开关使用,适合用于电力转换、稳压和电流调节等关键应用。在AC-DC、DC-DC及DC-AC转换器中,这款 MOSFET 可提供高效的开关性能,优化功率传输效率,减少能量损耗,广泛应用于电脑电源、电视电源、通信电源等设备。

2. **电源管理和逆变器**:
  - 在逆变器系统中,TSF10N60M-VB 可作为功率开关元件,特别适合高电压逆变器和电池转换系统。其高耐压特性使其能够承受较高的电压波动,特别适用于太阳能逆变器、风力发电系统、UPS(不间断电源)和大功率电池管理系统(BMS)。

3. **家电和工业控制**:
  - 在家电和工业控制系统中,TSF10N60M-VB 可用于电动机驱动、风扇控制、电磁炉等设备中。其较高的漏源电压承受能力使其在电机驱动和负载开关中具有出色的性能,能承受较大电流,保证设备稳定运行。

4. **高功率开关和负载开关**:
  - TSF10N60M-VB 作为高功率负载开关的关键元件,能够高效地控制电流的开启和关闭,特别适用于电气负载控制系统。它可以应用于电动工具、电动机驱动、LED照明控制及其他高功率电子系统中,通过其低导通电阻和高电流承载能力,确保负载的稳定性和开关的高效性。

5. **汽车电子系统**:
  - 在汽车电子领域,TSF10N60M-VB 可以作为功率开关元件,应用于汽车电池管理系统、充电器、电动汽车(EV)的驱动控制、动力系统控制等。其高压特性使其能够处理汽车中常见的高压电源应用。

6. **电池保护电路**:
  - 在电池保护电路(例如锂电池保护电路)中,TSF10N60M-VB 可用来实现高效的充放电控制,防止电池过充、过放及短路等问题。其高电流承载能力和耐高压特性使其成为电池管理系统中理想的开关组件。

7. **电动工具和高功率电子设备**:
  - TSF10N60M-VB 还广泛应用于电动工具和其他高功率消费电子产品中,例如电钻、电动螺丝刀等。由于其在高电流负载下的稳定性和高耐压特性,使得它能满足电动工具在长时间高功率运行时的需求。

8. **功率调节和变频驱动系统**:
  - 在工业变频驱动(VFD)系统中,TSF10N60M-VB 可用于控制电机的速度和转矩。其低导通电阻和高电流容量使其非常适合用作高效变频驱动的功率开关。

### 总结:

TSF10N60M-VB 是一款具有 650V 高耐压和 12A 最大漏极电流能力的 N 通道功率 MOSFET,广泛应用于高功率和高电压电源系统中。它适用于各种领域,包括开关电源、电动工具、电机驱动、太阳能逆变器、电池管理系统和工业控制等。通过其低导通电阻(RDS(ON))和高耐压特性,TSF10N60M-VB 帮助系统实现高效、稳定的功率转换和负载控制。

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