--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
**TK7A55D-VB** 是一款高耐压 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高电压和高可靠性的功率管理应用。其最大漏源电压(VDS)为 650V,适合在中等到高电压的功率控制系统中使用。最大漏极电流(ID)为 7A,能够满足多种高电压电源和功率转换应用的需求。MOSFET 的门槛电压(Vth)为 3.5V,提供较低的栅源电压开关能力。其导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ @ VGS=10V,保证较低的开关损耗和热量生成,有助于提高电源转换效率。采用 Plannar 技术,TK7A55D-VB 在高电压和高电流环境下提供可靠的性能和稳定的开关特性,适用于多种工业应用中的电力控制。
### 详细参数说明:
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单极 N-Channel
- **VDS(漏源电压)**:650V
- **VGS(栅源电压)**:±30V
- **Vth(门槛电压)**:3.5V
- **RDS(ON)**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:7A
- **技术**:Plannar 技术
- **最大功率耗散**:根据工作条件和散热系统设计
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
### 应用领域与模块:
1. **电源转换与电源管理系统**:
TK7A55D-VB 适用于高电压电源管理和功率转换应用,尤其是在 AC-DC 和 DC-DC 转换器中。由于其650V的耐压能力,它能够处理较高电压的电源输入,并在转换过程中提供稳定、高效的电流调节。其较低的导通电阻(RDS(ON)=1100mΩ)有助于减少开关损耗,提升电源的效率和可靠性,广泛应用于电力电子领域。
2. **工业电力控制系统**:
在工业电力控制系统中,TK7A55D-VB 可以作为功率开关元件,控制变频器、电动机驱动系统等。该 MOSFET 能够在高电压、高电流的环境下稳定工作,适用于各类自动化控制和电动驱动应用。无论是在电动机控制、电力调节,还是在复杂的工业电气设备中,它都能提供稳定且高效的电流开关控制。
3. **电池管理系统(BMS)**:
在电动汽车(EV)和储能系统的电池管理系统中,TK7A55D-VB 作为功率开关元件,可以帮助高效地控制电池的充放电过程。其650V的耐压和较低的导通电阻使其非常适合用于中高电压的电池组管理,确保在充电过程中能够减少功率损耗并提高电池的使用效率和寿命。
4. **太阳能逆变器**:
TK7A55D-VB 适用于太阳能逆变器中,负责将太阳能电池板产生的直流电(DC)转换为交流电(AC)。由于逆变器通常需要承受较高的电压和电流,650V 的耐压特性使得 TK7A55D-VB 成为理想选择。它不仅能处理高电压输入,还能通过低导通电阻和高效开关功能,帮助逆变器系统实现更高的能效,降低损耗。
5. **高效照明系统**:
在高效 LED 照明系统中,TK7A55D-VB 也有着广泛应用。作为一个高耐压功率开关,它能有效控制照明模块中的电流,减少损耗并提高整个照明系统的能效。其低导通电阻和高开关效率有助于提高照明系统的运行效率,同时延长 LED 灯具的使用寿命。
6. **电力因数校正(PFC)电路**:
TK7A55D-VB 可用于电力因数校正(PFC)电路中,提高电力系统的功率因数。由于其高耐压和稳定的开关特性,这款 MOSFET 能够减少电力因数校正过程中产生的谐波失真,提升电力系统的稳定性和效率。它特别适用于高功率电力供应系统中,帮助优化电网性能并减少无功功率。
7. **电动驱动系统(EV等高功率应用)**:
在电动驱动系统中,TK7A55D-VB 可以用于电动汽车(EV)、风力发电以及其他高功率应用。它能够在电机驱动、电力转换等环节中提供精确的电流控制,确保驱动系统在高功率下稳定运行并实现高效能量利用。
### 总结:
TK7A55D-VB 是一款适用于高电压(650V)和中等功率(7A)应用的 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装和 Plannar 技术,具有低导通电阻和稳定的开关性能。它广泛应用于电源管理、电池管理、电动驱动、太阳能逆变器、工业电力控制等领域,适合高电压和中等电流环境中的电力转换和控制。其高效能量转换、低功率损耗和稳定性,使其成为现代电力电子系统中的理想选择。
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