企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

TK7A55D-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TK7A55D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:

**TK7A55D-VB** 是一款高耐压 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高电压和高可靠性的功率管理应用。其最大漏源电压(VDS)为 650V,适合在中等到高电压的功率控制系统中使用。最大漏极电流(ID)为 7A,能够满足多种高电压电源和功率转换应用的需求。MOSFET 的门槛电压(Vth)为 3.5V,提供较低的栅源电压开关能力。其导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ @ VGS=10V,保证较低的开关损耗和热量生成,有助于提高电源转换效率。采用 Plannar 技术,TK7A55D-VB 在高电压和高电流环境下提供可靠的性能和稳定的开关特性,适用于多种工业应用中的电力控制。

### 详细参数说明:

- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单极 N-Channel
- **VDS(漏源电压)**:650V
- **VGS(栅源电压)**:±30V
- **Vth(门槛电压)**:3.5V
- **RDS(ON)**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:7A
- **技术**:Plannar 技术
- **最大功率耗散**:根据工作条件和散热系统设计
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C

### 应用领域与模块:

1. **电源转换与电源管理系统**:
  TK7A55D-VB 适用于高电压电源管理和功率转换应用,尤其是在 AC-DC 和 DC-DC 转换器中。由于其650V的耐压能力,它能够处理较高电压的电源输入,并在转换过程中提供稳定、高效的电流调节。其较低的导通电阻(RDS(ON)=1100mΩ)有助于减少开关损耗,提升电源的效率和可靠性,广泛应用于电力电子领域。

2. **工业电力控制系统**:
  在工业电力控制系统中,TK7A55D-VB 可以作为功率开关元件,控制变频器、电动机驱动系统等。该 MOSFET 能够在高电压、高电流的环境下稳定工作,适用于各类自动化控制和电动驱动应用。无论是在电动机控制、电力调节,还是在复杂的工业电气设备中,它都能提供稳定且高效的电流开关控制。

3. **电池管理系统(BMS)**:
  在电动汽车(EV)和储能系统的电池管理系统中,TK7A55D-VB 作为功率开关元件,可以帮助高效地控制电池的充放电过程。其650V的耐压和较低的导通电阻使其非常适合用于中高电压的电池组管理,确保在充电过程中能够减少功率损耗并提高电池的使用效率和寿命。

4. **太阳能逆变器**:
  TK7A55D-VB 适用于太阳能逆变器中,负责将太阳能电池板产生的直流电(DC)转换为交流电(AC)。由于逆变器通常需要承受较高的电压和电流,650V 的耐压特性使得 TK7A55D-VB 成为理想选择。它不仅能处理高电压输入,还能通过低导通电阻和高效开关功能,帮助逆变器系统实现更高的能效,降低损耗。

5. **高效照明系统**:
  在高效 LED 照明系统中,TK7A55D-VB 也有着广泛应用。作为一个高耐压功率开关,它能有效控制照明模块中的电流,减少损耗并提高整个照明系统的能效。其低导通电阻和高开关效率有助于提高照明系统的运行效率,同时延长 LED 灯具的使用寿命。

6. **电力因数校正(PFC)电路**:
  TK7A55D-VB 可用于电力因数校正(PFC)电路中,提高电力系统的功率因数。由于其高耐压和稳定的开关特性,这款 MOSFET 能够减少电力因数校正过程中产生的谐波失真,提升电力系统的稳定性和效率。它特别适用于高功率电力供应系统中,帮助优化电网性能并减少无功功率。

7. **电动驱动系统(EV等高功率应用)**:
  在电动驱动系统中,TK7A55D-VB 可以用于电动汽车(EV)、风力发电以及其他高功率应用。它能够在电机驱动、电力转换等环节中提供精确的电流控制,确保驱动系统在高功率下稳定运行并实现高效能量利用。

### 总结:

TK7A55D-VB 是一款适用于高电压(650V)和中等功率(7A)应用的 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装和 Plannar 技术,具有低导通电阻和稳定的开关性能。它广泛应用于电源管理、电池管理、电动驱动、太阳能逆变器、工业电力控制等领域,适合高电压和中等电流环境中的电力转换和控制。其高效能量转换、低功率损耗和稳定性,使其成为现代电力电子系统中的理想选择。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    152浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    138浏览量