--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### TK7A50D-VB MOSFET 产品简介
TK7A50D-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 沟道功率 MOSFET,专为高电压、大电流应用而设计。该 MOSFET 具有 650V 的最大漏极源电压(VDS),适用于中高电压电源转换和功率开关应用。其最大栅源电压(VGS)为 ±30V,阈值电压(Vth)为 3.5V,能够在高电压环境下稳定工作。TK7A50D-VB 的导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ(在 VGS = 10V 时),最大漏极电流(ID)为 7A。采用 Plannar 技术制造,保证了该 MOSFET 的良好电气性能和可靠性。它适用于电源管理、电池充放电、工业控制、电动汽车等多个领域,提供高效、可靠的电力开关解决方案。
### TK7A50D-VB MOSFET 详细参数说明
- **型号**:TK7A50D-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单极 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **最大漏极源电压(VDS)**:650V
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:7A
- **技术类型**:Plannar 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **最大功耗**:根据散热条件和工作环境,具体功耗取决于应用设计
### TK7A50D-VB MOSFET 应用领域与模块
1. **电源管理与电源转换**
- TK7A50D-VB 适用于高电压电源管理系统,尤其是用于电源转换模块(如 AC-DC 转换器或 DC-DC 转换器)。其高电压承受能力和良好的开关性能使其在电源系统中成为理想选择,能够高效地实现电压转换,降低能量损失并提高系统效率。它广泛应用于电力供应器、服务器电源以及各种工业电源中。
2. **电池管理系统(BMS)**
- 在电池管理系统中,TK7A50D-VB 作为关键开关元件,能够有效地处理电池的充放电控制。由于其低导通电阻,它有助于减少电池管理过程中产生的热量,保证充电和放电过程中的高效能。适用于电动汽车(EV)和电池储能系统的电池管理模块。
3. **工业电源和驱动系统**
- TK7A50D-VB 还适用于工业电源系统,尤其是需要承受较高电压和电流的电源模块。在工业自动化、过程控制和电机驱动系统中,它可以提供稳定的电力转换,并保证电气设备的高效和稳定运行。它在电动机控制、变频器、电力调节系统等领域中有着重要的应用。
4. **电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)**
- TK7A50D-VB 可广泛应用于电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统(BMS)以及电动机驱动系统。由于其能够承受高电压,它非常适合于处理电池充放电过程中的电力转换和能量管理,确保电动汽车在高效、安全的情况下运行。
5. **家用电器电源**
- TK7A50D-VB 在高电压的家用电器电源模块中也得到了广泛应用。它能提供高效的电能转换,减少电器在运行过程中的热损耗,保证家电产品的高效性和长期稳定性。适用于空调、冰箱、洗衣机等家电产品的电源管理系统。
6. **开关电源(SMPS)**
- 在开关电源(SMPS)中,TK7A50D-VB 作为开关元件,可以有效地处理电源转换和电压调节。无论是在计算机电源、LED 驱动电源,还是在医疗设备的电源模块中,TK7A50D-VB 都能提供高效、可靠的功率转换,帮助提高整体系统的能效。
7. **通信电源系统**
- TK7A50D-VB 同样适用于通信设备的电源系统,尤其是基站电源、路由器等通信设备中。它能够有效地控制电源流,保证通信设备的电力需求,并提高其工作稳定性。该 MOSFET 提供高电压和大电流的功率开关,确保在严苛环境下稳定运行。
### 总结
TK7A50D-VB 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET,能够处理高电压和大电流应用。其 650V 的最大漏源电压和 7A 的最大漏极电流,使其非常适合用于电源管理、电池管理、工业控制、电动汽车等领域。凭借其低导通电阻和高效的开关性能,TK7A50D-VB 能够提供稳定的电力转换和电源管理,在各种功率系统中实现高效的能量管理,满足中高电压电力转换的需求。
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