--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### TK6A60W-VB MOSFET 产品简介
**TK6A60W-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的 **单极N通道** MOSFET,专为中到高电压应用设计。它的 **VDS** 高达 **650V**,适用于各种需要高电压耐受能力的应用场合,如电源管理、工业控制、电力转换系统等。该MOSFET的 **Vth**(阈值电压)为 **3.5V**,在低栅源电压下即可启动,具有良好的开关性能和较低的开关损失。其 **RDS(ON)** 在 **VGS=10V** 下为 **680mΩ**,尽管导通电阻相对较高,但其 **12A** 的漏极电流能力,使其能够满足中等电流要求的高电压应用。采用 **Plannar** 技术,提供稳定的工作性能,特别适用于电源转换、逆变器、电动工具驱动等领域。
### TK6A60W-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装**:TO220F
- **配置**:单极N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:650V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 680mΩ(VGS=10V)
- **最大漏极电流 (ID)**:12A
- **技术**:Plannar技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **开关特性**:适合高电压开关操作,低开关损耗
- **功率损耗**:较高的导通电阻可能导致一定功率损耗,但适合中等电流负载
- **热管理**:适合中等功率应用,热管理需求适中
- **电流承载能力**:12A的漏极电流适用于中功率应用
### TK6A60W-VB MOSFET 应用示例
1. **开关电源(SMPS)**:由于其 **650V** 的最大漏源电压和适中的 **RDS(ON)**(680mΩ),TK6A60W-VB适用于 **开关电源(SMPS)** 中,尤其是在高电压输入的环境中。它能够处理较大的电压负载,同时保持相对较低的开关损耗,广泛应用于工业电源、计算机电源和通信设备电源等领域。
2. **逆变器(Inverter)**:在 **逆变器** 系统中,TK6A60W-VB的 **650V** 漏源电压使其非常适合用作中高电压输入的开关元件,尤其是在需要处理交流电和直流电之间转换的场合。它能够为逆变器提供高效的电力转换,尤其适用于如太阳能逆变器、风力发电逆变器等可再生能源领域。
3. **电动工具驱动**:TK6A60W-VB 适用于一些电动工具的驱动电路中,特别是高电压工具(如电动锯、电动钻等)的电源管理和电机控制。这款MOSFET的高 **VDS** 值和 **12A** 的漏极电流承载能力使其能有效驱动高功率电动工具,在高负载下保持稳定的工作状态。
4. **电力转换系统**:在电力电子行业,TK6A60W-VB常用于 **高电压电力转换系统**,如 **AC-DC转换器**、**DC-AC逆变器**、**电动汽车充电系统** 等。它能够处理高达 **650V** 的电压,在电力转换过程中提供高效能,减少能量损耗。
5. **电池管理系统(BMS)**:在电池管理系统中,TK6A60W-VB能有效地控制充电、放电过程中的电流,尤其适用于大电压电池组的电流控制和功率调节。通过低开关损耗和良好的热管理,TK6A60W-VB可以提高电池管理系统的整体效率,并延长电池的使用寿命。
6. **高压LED驱动**:TK6A60W-VB可用于 **高压LED驱动电源**,尤其在需要较高电压输入和较大电流的场合,如大功率LED照明、舞台灯光、户外照明等领域。由于其 **650V** 的耐压能力和稳定的开关特性,TK6A60W-VB能高效驱动LED模块,减少能量损耗,提高照明系统的效率。
### 总结
**TK6A60W-VB** 是一款具有 **650V** 最大漏源电压和 **12A** 漏极电流承载能力的 **单极N通道** MOSFET,采用 **Plannar** 技术,适合高电压和中等电流的应用。其 **680mΩ** 的导通电阻使其在中等电流负载的高电压场合具有稳定的工作表现。它广泛适用于 **开关电源**、**逆变器**、**电动工具驱动**、**电池管理系统**和 **高压LED驱动** 等领域,能够有效提高系统的效率,减少能量损耗,并保证在高电压环境中的稳定性。
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