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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TK6A55DA-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TK6A55DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:TK6A55DA-VB

TK6A55DA-VB 是一款具有 650V 漏源耐压的 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高电压应用,尤其适合用于功率转换、电源管理和工业控制系统。该型号具有 7A 的最大漏极电流(I_D),以及 3.5V 的阈值电压(V_th),适合在高电压环境下提供稳定可靠的开关性能。其导通电阻为 1100mΩ(V_GS = 10V),并采用了 Plannar 技术,优化了性能,减少了功率损耗,确保了长期的耐用性和高效运行。TK6A55DA-VB 是高电压电源管理和工业电力电子领域中理想的选择。

### 详细参数说明:

| 参数                | 数值                          |
|---------------------|-------------------------------|
| **型号**            | TK6A55DA-VB                 |
| **封装**            | TO220F                        |
| **配置**            | 单一 N 通道 MOSFET            |
| **漏极-源极耐压 (V_DS)** | 650V                          |
| **栅极-源极电压 (V_GS)** | ±30V                          |
| **阈值电压 (V_th)**  | 3.5V                          |
| **导通电阻 (R_DS(ON))** | 1100mΩ @ V_GS=10V             |
| **最大漏极电流 (I_D)** | 7A                             |
| **技术**            | Plannar                        |

### 应用领域与模块:

1. **高电压电源管理系统**:
  TK6A55DA-VB 的 650V 漏源耐压和稳定的开关性能使其非常适合用于高电压电源管理系统,尤其是在 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器以及电源适配器中。由于其低导通电阻(1100mΩ @ V_GS = 10V),能够有效降低能量损耗,提高整体系统效率,特别是在需要高效能电源转换和高可靠性的电源模块中,表现优异。

2. **工业电力电子与控制系统**:
  在工业电力系统中,TK6A55DA-VB 可以用于变频器、电动机驱动器、工业电源模块等设备。650V 的耐压能力使其能够承受较大的电压波动和工业设备中的高电压环境,而其较低的导通电阻能够减少热损耗,提高功率传输效率。在电机控制、电力驱动系统以及电力转换装置中,能够提供稳定的工作表现,确保系统的安全运行。

3. **电动汽车和能源存储系统**:
  在电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)中,TK6A55DA-VB 能够用于充放电控制及功率转换模块。650V 的耐压能力使其适应高压电池组的电能管理需求。它还可以用于电动驱动系统的功率调节,确保电池充电和放电过程中的电流稳定,增强整个电动驱动系统的效率。

4. **电机控制系统**:
  TK6A55DA-VB 是高效电机控制系统的理想选择,特别是在无刷直流电机(BLDC)驱动器和工业自动化控制模块中。MOSFET 的高电流能力(7A)和低导通电阻(1100mΩ)使其能够处理较大的电流需求,降低电机控制过程中的功率损耗,确保电机运行的平稳性和高效性。

5. **消费电子与高效电源模块**:
  TK6A55DA-VB 可广泛应用于各种高功率消费电子设备中,例如高效电池充电器、UPS(不间断电源)系统和医疗设备电源。650V 的耐压和高效的开关性能使其在高功率电源模块中表现出色,能够在各种电池供电设备中提供快速、稳定的电能转换,确保设备的高效运行和较低的发热量。

### 总结:

TK6A55DA-VB 是一款 650V 漏源耐压的 N 通道 MOSFET,适用于高电压电源管理、电力电子控制、电动汽车电池管理、电机控制以及消费电子等领域。其低导通电阻(1100mΩ @ V_GS = 10V)和 7A 的高电流能力使其在高功率和高电压应用中具有卓越的表现。无论是在电源转换、电动汽车驱动、电机控制还是其他高功率电源模块中,TK6A55DA-VB 都能提供高效能、低功耗的解决方案,优化系统的效率和稳定性。

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