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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TK6A50DTA4-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TK6A50DTA4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### TK6A50DTA4-VB MOSFET 产品简介

TK6A50DTA4-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 沟道功率 MOSFET,适用于高电压、大电流的功率开关应用。其最大漏源电压(VDS)为 650V,最大栅源电压(VGS)为 ±30V,适合用于中高电压电源管理、功率转换等电力电子系统。该型号的导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ(在 VGS = 10V 时),最大漏极电流(ID)为 7A,能够满足高电压、大电流条件下的高效电源转换需求。其采用平面(Plannar)技术制造,提供稳定的性能和较高的可靠性,广泛应用于电源、电池管理、通信设备等多个领域。

### TK6A50DTA4-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**:TK6A50DTA4-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单极 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **最大漏极源电压(VDS)**:650V
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:7A
- **技术类型**:Plannar 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **最大功耗**:适配系统设计要求,具体功耗取决于散热设计和工作条件

### TK6A50DTA4-VB MOSFET 应用领域与模块

1. **电源管理与电力转换**
  - TK6A50DTA4-VB 常用于电源管理系统,特别是高电压电源转换模块(如 AC-DC 和 DC-DC 转换器)。其高电压耐受性和较低的导通电阻使其在电源管理系统中表现优异,能够有效提高能效并降低热损耗。适合在高电压环境下的电源系统中使用,如服务器电源、工业电源等。

2. **电池管理系统(BMS)**
  - 在电池管理系统中,TK6A50DTA4-VB 可作为功率开关元件,特别是在需要处理较高电压和电流的电池充放电控制中。由于其低导通电阻,可以减少充电过程中产生的能量损失和热量,确保电池的高效、安全充电。

3. **通信电源系统**
  - TK6A50DTA4-VB 适用于通信设备中的电源模块,尤其是基站电源、路由器和数据中心电源。其高电压耐受和稳定的开关特性使其非常适合用于这些需要高效电源转换的应用场合,确保设备在长时间运行中的高效能和稳定性。

4. **电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)**
  - 在电动汽车及混合动力汽车的电源模块中,TK6A50DTA4-VB 作为功率开关元件可以高效处理电池和电动机之间的能量转换,确保电池充放电过程的稳定和高效。其耐高电压能力使其在电动汽车的电池管理系统和驱动系统中有着广泛的应用。

5. **家用电器电源**
  - 在家用电器中,TK6A50DTA4-VB 可以用于高电压电源模块,如空调、冰箱和洗衣机等设备的电源管理。由于其高效的导电性能,它能够在这些设备中高效地处理电源转换任务,确保电器的高能效和可靠性。

6. **工业自动化与电机驱动**
  - TK6A50DTA4-VB 也可应用于工业自动化和电机驱动系统中,尤其是需要高电压和较高电流的工业电力驱动系统。它可以作为电机驱动模块的开关元件,提供高效的功率转换,并降低电力传输过程中的能量损失。

### 总结

TK6A50DTA4-VB 是一款高电压、高电流耐受的 N 沟道 MOSFET,适用于需要高效电源管理和电力转换的应用场合。它具有 650V 的最大漏极源电压和 7A 的最大漏极电流,能够在高压环境下稳定工作。其低导通电阻和优异的开关性能使其成为电源转换、电池管理、工业电源、汽车电源等领域中的理想选择,能够满足各种高电压、高效率应用的需求。

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