--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. **产品简介**
TK6A45DA-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和最大7A的漏极电流(ID)。该MOSFET采用Plannar技术,适用于中高电压功率转换和电源管理应用。其导通电阻(RDS(ON) = 1100mΩ@VGS=10V)适合在低功率场景中应用,能够提供较为稳定的电流开关性能。凭借高耐压特性和良好的开关性能,TK6A45DA-VB广泛应用于各种需要高电压和可靠电流控制的电力系统中,如逆变器、开关电源、功率调节模块以及工业自动化设备。
### 2. **详细参数说明**
- **封装**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1100mΩ(VGS=10V)
- **最大漏极电流 (ID)**:7A
- **技术**:Plannar技术
### 3. **应用领域与模块示例**
TK6A45DA-VB的高电压耐受能力和较低的导通电阻使其在多个领域中具有广泛的应用。以下是其典型应用场景:
- **开关电源(SMPS)**:TK6A45DA-VB在开关电源模块中可用于DC-DC转换器、AC-DC适配器及功率因数校正(PFC)电路。其高耐压和较低的导通电阻有助于提高电源系统的效率和稳定性,特别适用于家电、电力供应设备和LED驱动电源等应用。
- **逆变器**:凭借650V的耐压特性,TK6A45DA-VB适用于太阳能逆变器和UPS(不间断电源)系统。其稳定的开关性能和高电流处理能力使其能够高效地转换电能,广泛应用于可再生能源系统和电力备份系统。
- **电动工具和工业电源模块**:在电动工具和工业自动化中,TK6A45DA-VB能够稳定工作,提供电动驱动和功率调节功能。尤其适用于需要中高电压的电动工具和其他工业设备的电源管理。
- **电池管理系统(BMS)**:TK6A45DA-VB在电池管理系统(BMS)中可用于电动汽车、储能系统的电池充放电管理。其高电流承载能力和稳定性对于提高电池效率和延长电池寿命至关重要。
- **通信设备电源**:在通信设备、电力转换设备等领域,TK6A45DA-VB能够提供稳定可靠的电力转换,适用于需要高电压和高效率的应用,如数据中心的电力供应系统。
综上所述,TK6A45DA-VB在中高电压应用中表现出色,适合各种功率转换和电源管理系统,特别是在太阳能逆变器、电池管理、电力驱动模块等高效率要求的场合中,提供可靠的性能和高效的电能转换。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12