企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

TK5A53DTA4-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TK5A53DTA4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### TK5A53DTA4-VB MOSFET 产品简介

TK5A53DTA4-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极性 N 通道 MOSFET,采用平面(Plannar)技术,具备高达 650V 的漏极源电压(VDS)和 ±30V 的栅极源电压(VGS),适用于中高功率电源管理、电力控制和开关电路。其阈值电压(Vth)为 3.5V,能在适中的栅极电压下高效导通。在 VGS = 10V 时,TK5A53DTA4-VB 的导通电阻(RDS(ON))为 1100mΩ,能够提供较低的损耗。该 MOSFET 最大漏极电流(ID)为 7A,适合在各种工业和电力电子系统中使用,尤其适用于高电压开关电源、功率因数校正(PFC)、电池管理系统(BMS)等领域。

### TK5A53DTA4-VB MOSFET 详细参数说明

| **参数**         | **规格**                         |
|------------------|----------------------------------|
| **型号**         | TK5A53DTA4-VB                    |
| **封装形式**     | TO220F                           |
| **配置**         | 单极性 N 通道                    |
| **最大漏极源电压 (VDS)** | 650V                            |
| **最大栅极源电压 (VGS)** | ±30V                            |
| **阈值电压 (Vth)** | 3.5V                             |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ @ VGS = 10V              |
| **最大漏极电流 (ID)** | 7A                               |
| **技术**         | Plannar                          |

### TK5A53DTA4-VB MOSFET 适用领域与模块举例

**1. 高电压开关电源(SMPS):**
  - TK5A53DTA4-VB 的高耐压特性使其成为高电压开关电源(SMPS)的理想选择。它在 AC-DC 和 DC-DC 转换器中可用作开关元件,帮助提高系统的电能转换效率。在电源系统中,MOSFET 的较低导通电阻有助于减少能量损耗,从而提升电源的整体效率,特别适用于工业电源、照明控制系统和通信电源等。

**2. 功率因数校正(PFC)电路:**
  - 在功率因数校正(PFC)电路中,TK5A53DTA4-VB 可承受高达 650V 的漏极源电压,因此特别适合于电源的功率因数校正过程。MOSFET 能通过高效的开关操作帮助改善电源的功率因数,从而减少电力损失,并确保电力供应的质量。它广泛应用于变频器、照明设备和家电电源中,帮助提升电能质量和效率。

**3. 电池管理系统(BMS):**
  - TK5A53DTA4-VB 在电池管理系统(BMS)中也具有重要应用,特别是在电动汽车(EV)和储能系统(ESS)中。在这些应用中,MOSFET 主要用来控制电池的充放电过程,保护电池组免受过充和过放电的影响。其高 VDS 容忍能力和较低的 RDS(ON) 值使其能够高效地处理电池系统中的电流流动,确保电池的安全性与高效性。

**4. 电动工具和家用电器:**
  - 在电动工具、家用电器(如吸尘器、电动扳手、电动泵)等产品中,TK5A53DTA4-VB 可用于电源管理和开关电路。其高电压耐受性和低导通电阻使其能够在这些设备中提供高效、稳定的电源控制,确保设备在不同负载条件下平稳运行。MOSFET 能有效降低能量损失,提高设备的工作效率和使用寿命。

**5. 电力保护与过电压保护电路:**
  - TK5A53DTA4-VB 还适用于电力保护电路,如过电压保护、过电流保护等。它的高 VDS 能够帮助它在电力系统中承受电压波动,防止系统中出现因电压过高或过低而导致的电气损坏,特别适用于电力传输与配电系统中的开关保护电路,确保系统的安全与稳定。

**6. 工业控制与自动化:**
  - 在工业自动化控制系统中,TK5A53DTA4-VB 可用于驱动电动机、继电器和其他负载。其高 VDS 和较低的导通电阻特性使其适用于各种工业应用,包括生产线自动化、电机控制和自动化设备。它帮助实现精确控制,提升系统的可靠性和能源效率。

通过以上的应用领域,TK5A53DTA4-VB 在高电压开关控制、电源管理、工业自动化、电池管理等多个领域都有广泛的应用,特别适用于要求较高电压耐受能力和低导通损耗的中高功率电力电子系统。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    152浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    138浏览量