--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### TK5A45DA-VB MOSFET 产品简介
TK5A45DA-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 沟道功率 MOSFET,设计用于中高电压功率开关应用。该型号的最大漏极源电压(VDS)为 650V,最大栅源电压(VGS)为 ±30V,适合用于高压电源管理系统、电力转换和电源开关电路中。其阈值电压(Vth)为 3.5V,导通电阻(RDS(ON))为 2560mΩ(在 VGS = 10V 时),最大漏极电流(ID)为 4A。使用平面技术(Plannar)制造,提供良好的开关特性和稳定的工作性能。TK5A45DA-VB 广泛应用于电力电子领域,特别是适合要求高电压和稳定工作特性的应用场景。
### TK5A45DA-VB MOSFET 详细参数说明
- **型号**:TK5A45DA-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单极 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **最大漏极源电压(VDS)**:650V
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:4A
- **技术类型**:Plannar 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C(典型值)
- **最大功耗**:90W(根据实际应用和散热设计可能有所不同)
### TK5A45DA-VB MOSFET 应用领域与模块
1. **电力开关电源(SMPS)**
- TK5A45DA-VB 在电力开关电源(SMPS)中应用广泛,特别是作为高压电源的功率开关元件。其适用于各种电源转换模块,如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。在这些电源系统中,TK5A45DA-VB 提供了高效的电能转换,并且能够在高电压条件下稳定工作。
2. **工业电源管理**
- 在工业电源管理系统中,TK5A45DA-VB 可作为功率开关元件,用于电力转换、能量调节和电压控制。它能够满足工业自动化、机器控制和电机驱动等系统中的高压需求,确保电源系统在各种负载条件下的稳定运行。
3. **电池充电系统**
- TK5A45DA-VB 也适用于电池充电系统,尤其是需要高电压电池充电的应用。它可以为电池管理系统提供高效的开关控制,确保电池充电过程的高效性和安全性,尤其在高电压和高效能要求的环境中具有优势。
4. **汽车电源模块**
- 在汽车电源模块中,TK5A45DA-VB 可用于电动汽车(EV)或混合动力汽车(HEV)的电池管理系统、功率转换和电动机驱动等模块。其高耐压和较低的导通电阻使其能够有效地处理高电压和中等电流负载,是汽车电源系统中的理想选择。
5. **通信设备电源**
- 在通信设备电源中,TK5A45DA-VB 适用于基站电源、路由器和交换机等设备的电源模块。其高耐压特性使其能够稳定地处理电源转换任务,并确保通信设备在高压电源环境中的高效运行。
6. **家电电源模块**
- TK5A45DA-VB 也适用于家电电源模块,尤其是在需要高电压和稳定电源的家用电器(如电视、空调、冰箱等)中。它能够为这些设备提供高效的电力转换,确保家电在日常使用中的高效能和可靠性。
### 总结
TK5A45DA-VB 是一款专为高电压功率开关应用设计的 N 沟道 MOSFET。它具有 650V 的最大漏极源电压,适用于各种中高功率应用。广泛应用于电力开关电源、电池充电系统、工业电源、汽车电源模块、通信设备电源和家电电源等领域。凭借其平面技术和稳定的开关性能,TK5A45DA-VB 提供高效、可靠的功率转换解决方案,能够满足高电压应用中的严格要求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12