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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TK4A65DA-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TK4A65DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### TK4A65DA-VB MOSFET 产品简介

TK4A65DA-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 沟道功率 MOSFET,具有 650V 的最大漏极源电压(VDS)和 ±30V 的栅源电压(VGS)。该 MOSFET 采用平面技术(Plannar),提供稳定的开关性能,广泛应用于要求高耐压和可靠性的电力电子设备中。其最大漏极电流(ID)为 4A,适合用于中功率应用,特别是在需要较高电压的功率转换、电源管理和开关电路中。其导通电阻(RDS(ON))为 2560mΩ(在 VGS = 10V 时),使其能够提供良好的功率效率,并有效减少系统中的热损耗。TK4A65DA-VB 是一种可靠的功率开关元件,适用于各类高电压电源模块、工业电源、通信设备等领域。

### TK4A65DA-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**:TK4A65DA-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单极 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **最大漏极源电压(VDS)**:650V
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:4A
- **技术类型**:Plannar 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C(典型值)
- **最大功耗**:90W(根据实际应用和散热设计可能有所不同)

### TK4A65DA-VB 应用领域与模块

1. **电力开关电源(SMPS)**
  - TK4A65DA-VB 在电源开关电路中,尤其是用于高电压(650V)的电力开关电源(SMPS)中,具有广泛的应用。其能够高效地转换电压,并在高电压环境下保持稳定的工作性能,适用于各种电源模块,如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。

2. **工业电源系统**
  - 在工业电源管理系统中,TK4A65DA-VB 可用作功率开关元件,特别适用于需要高耐压的设备,如自动化控制、驱动系统、电机控制等。它能够提供稳定的功率转换,并有效应对工业环境中的高电压要求。

3. **电池充电系统**
  - TK4A65DA-VB 常用于电池充电器和电池管理系统中,特别是在高电压的充电应用中。它能够为电池管理系统提供高效的开关控制,帮助高效充电和电池保护,确保电池系统在高压条件下的安全性和可靠性。

4. **汽车电源模块**
  - 在汽车电源系统中,TK4A65DA-VB 可用于电源转换模块、电动机驱动和电池管理系统等。其能够处理高电压电源,并且在汽车的恶劣环境下提供可靠的工作性能,尤其适合电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理和电源系统。

5. **通信设备电源**
  - 在通信设备(如基站电源、路由器和交换机)中,TK4A65DA-VB 被广泛应用于电源转换和电压调节模块。其高耐压特性使其在处理通信设备的电源模块时具备较高的可靠性,确保稳定的电力供应和高效的功率管理。

6. **家电电源模块**
  - TK4A65DA-VB 也适用于家用电器的电源模块,尤其是在需要较高电压和稳定电源的家电产品中(如电视机、空调等)。它能够提供高效的电力转换并减少系统中的热量积累,确保家电产品的高效能和长寿命。

### 总结

TK4A65DA-VB 是一款具有高耐压和中等电流承载能力的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高电压和中功率的电力电子应用。其典型应用包括电力开关电源、工业电源管理、电池充电系统、汽车电源模块和通信设备电源等。通过其平面技术和稳定的开关性能,TK4A65DA-VB 在各种应用中提供高效、可靠的功率转换解决方案。

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