--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### TK4A55DATA4-VB MOSFET 产品简介
TK4A55DATA4-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极性 N 通道 MOSFET,采用平面(Plannar)技术,具有较高的漏极源电压(VDS)650V,适用于中低功率的电力控制应用。其最大栅极源电压(VGS)为 ±30V,阈值电压(Vth)为 3.5V。在 VGS = 10V 时,RDS(ON) 为 2560mΩ,最大漏极电流(ID)为 4A。该 MOSFET 主要用于高电压开关控制、电源管理、工业控制及电池管理等应用,提供稳定的电流控制和开关功能。
### TK4A55DATA4-VB MOSFET 详细参数说明
| **参数** | **规格** |
|------------------|----------------------------------|
| **型号** | TK4A55DATA4-VB |
| **封装形式** | TO220F |
| **配置** | 单极性 N 通道 |
| **最大漏极源电压 (VDS)** | 650V |
| **最大栅极源电压 (VGS)** | ±30V |
| **阈值电压 (Vth)** | 3.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2560mΩ @ VGS = 10V |
| **最大漏极电流 (ID)** | 4A |
| **技术** | Plannar |
### TK4A55DATA4-VB MOSFET 适用领域与模块举例
**1. 高电压开关控制:**
- TK4A55DATA4-VB MOSFET 的 650V VDS 使其非常适合用于需要高电压开关控制的应用,如电力电子和电源管理系统。尤其是在高电压的AC-DC转换、功率因数校正(PFC)电路以及中等功率的DC-DC转换器中,MOSFET 能提供稳定的开关性能,确保系统的高效能与低损耗。
**2. 电源管理和电源保护:**
- 在电源管理系统中,TK4A55DATA4-VB 可用于稳压电源、电池管理系统(BMS)等领域,尤其是在工业电源、可再生能源电源(如太阳能逆变器)等应用中。其高电压承受能力与开关性能非常适合在大功率电源中使用,确保电池充放电的平稳控制和电源的稳定运行。
**3. 工业控制与电机驱动:**
- TK4A55DATA4-VB 可用于工业电机驱动系统,尤其是需要高电压和电流承载能力的中低功率应用。由于其稳定的导通性能和较高的电压耐受能力,它能够在电机启动、制动和变速过程中提供可靠的控制,广泛应用于自动化设备、机械控制和电动工具。
**4. 电池管理系统(BMS):**
- 在电池管理系统中,TK4A55DATA4-VB 可用作高压开关控制器,帮助管理电池充电和放电过程。由于其高 VDS 和相对较低的 RDS(ON) 值,它能够高效控制电池组的充电过程,尤其适用于电动汽车(EV)、储能系统等大功率应用。
**5. 电力保护电路:**
- 该 MOSFET 还适用于电力保护电路,如过电压保护、过电流保护等。其高 VDS 容忍度使其能够承受较高的电压冲击,适合用于电气系统中的开关保护,防止电气元件因异常电压或电流而损坏,确保系统的安全运行。
**6. 开关电源(SMPS)与 PFC 电路:**
- 在开关电源和功率因数校正(PFC)电路中,TK4A55DATA4-VB 提供可靠的高电压开关功能,能够有效地转换和调节电源电压。尽管其 RDS(ON) 值较高,但在中等功率需求的电源系统中依然表现优异,适用于中小功率的 AC-DC 电源、照明控制电路等。
通过上述应用示例,可以看出 TK4A55DATA4-VB 是一款具有高电压承受能力和稳定导通性能的 MOSFET,特别适用于高电压开关控制、电源管理、工业控制等领域,能够满足中低功率应用中对高电压和稳定性能的需求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12