企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

TK4A50D-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TK4A50D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**TK4A50D-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的单极 N 型 MOSFET,具有 **650V** 的耐压(VDS),专为高压开关应用设计。此产品采用 **平面技术(Plannar technology)**,并在 **VGS = 10V** 条件下提供较高的 **RDS(ON) = 2560mΩ**,适用于需要控制较大电流(最大 4A)且工作电压较高的电力电子模块。其优异的开关特性和稳定的工作性能使其适用于多种电力转换系统和电机驱动控制。

### 详细参数说明

| **参数**           | **数值**     |
|------------------|------------|
| **封装**           | TO220F     |
| **配置**           | 单极 N 型MOSFET  |
| **最大漏极源电压(VDS)** | 650V       |
| **最大栅源电压(VGS)** | ±30V       |
| **门极阈值电压(Vth)** | 3.5V       |
| **导通电阻(RDS(ON))** | 2560mΩ@VGS=10V |
| **最大漏极电流(ID)** | 4A         |
| **技术**           | 平面技术(Plannar technology)|

### 适用领域与模块示例

1. **电力转换设备**  
  TK4A50D-VB 作为高压电源转换的开关元件,可以应用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块中。在这些应用中,MOSFET 用于高效的电压转换和电流控制,提供稳定的功率输出,同时减少电能损耗。由于其较高的耐压和适中的导通电阻,能够确保在高功率和高电压环境下可靠工作。

2. **电机驱动控制**  
  在电机驱动系统中,TK4A50D-VB 可以作为主开关,控制电机的启动、停止和调速。尤其是在要求较高的电压等级和中等电流范围内,这款 MOSFET 可以确保高效的电能转化,并降低系统发热,提高整体系统的可靠性和效能。

3. **逆变器(Inverter)**  
  用于逆变器(如太阳能逆变器、电动汽车电池管理系统等)中,TK4A50D-VB 提供高效的开关性能。在太阳能发电系统中,逆变器将直流电转换为交流电,这个过程中,MOSFET 必须承受较高的电压和电流,TK4A50D-VB 的高耐压和较低导通电阻使其能够实现高效能转换,提升系统的整体效率。

4. **电池管理系统(BMS)**  
  在电池管理系统中,TK4A50D-VB 可用于电池的充放电控制和过压保护等功能。电池管理系统需要高效且稳定的开关元件来控制电池的电流流动,并防止过压或过流情况的发生,MOSFET 的可靠性对系统的长寿命至关重要。

5. **家电产品电源管理模块**  
  在一些家电产品中,TK4A50D-VB 可用于电源管理模块,如空调、电热水器等设备的电力调节。它能够有效控制电流流动,确保电力供给稳定,避免因过电流或过电压损坏系统。

通过这些应用实例,TK4A50D-VB 展示了它在高压电源管理、电机驱动、逆变器、电池管理以及家电电力模块中的重要性。其稳定的开关性能和较低的导通电阻为这些系统提供了高效、可靠的解决方案。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    727浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    602浏览量