--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### TK40A08K3-VB MOSFET 产品简介
TK40A08K3-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 沟道功率 MOSFET,具有高达 650V 的漏极源电压(VDS)和 ±30V 的栅源电压(VGS)。该 MOSFET 的阈值电压为 3.5V,并采用平面技术(Plannar),适合用于中低功率的电源转换及开关控制应用。尽管导通电阻(RDS(ON))相对较高(2560mΩ@VGS=10V),它在小电流(如 4A)和中等电压环境中表现良好,特别适合需要稳定开关性能和耐压能力的场景。它广泛用于低功率应用中,如电源适配器、LED 驱动电路、家用电器等领域。
### TK40A08K3-VB MOSFET 详细参数说明
- **型号**:TK40A08K3-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单极 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **最大漏极源电压(VDS)**:650V
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**:4A
- **技术类型**:Plannar 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C(典型值)
- **最大功耗**:40W(根据应用环境和散热设计可适当调整)
### TK40A08K3-VB 应用领域与模块
1. **小型电源供应器**
- TK40A08K3-VB 在小型电源适配器中应用广泛,尤其是那些用于较低功率需求的电源转换模块。由于其较高的漏极源电压和合理的漏极电流能力,能够满足家庭和办公设备的电源适配器(如笔记本电脑充电器)中的开关和控制需求。
2. **LED驱动电路**
- 该 MOSFET 常被用于 LED 驱动电路中,尤其是那些需要较高电压但电流需求较小的应用中。MOSFET 的开关速度和稳定性使其成为驱动高亮度LED灯具、电筒以及其他照明设备的理想选择。
3. **家用电器**
- 在家用电器,如微波炉、洗衣机以及电风扇等设备中,TK40A08K3-VB 可用于功率调节、电机驱动控制及其他电源管理应用。其高耐压特性使其适应家庭电器中的各种电源要求,提供稳定、可靠的性能。
4. **电池管理系统**
- 在电池管理系统(BMS)中,TK40A08K3-VB 适用于电池充电器、电池开关控制模块。它能够处理一定范围内的电压和电流,非常适合于需要高耐压和可靠性的低功率储能设备。
5. **通信设备电源管理**
- TK40A08K3-VB 可在通信设备的电源管理模块中发挥作用,尤其是低功率通信设备(如路由器、交换机等)中,作为电源调节和开关控制器使用,保证电压稳定并提高效率。
### 总结
TK40A08K3-VB 是一款具有高耐压和稳定开关性能的功率 MOSFET,适用于低功率和中电压应用领域。其典型应用包括小型电源供应器、LED 驱动电路、家用电器以及电池管理系统等。该 MOSFET 提供稳定的工作性能,适合要求中等电压和电流的环境,尤其是在可靠性和耐压性能上具有优势。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12