--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### TK3A65D-VB MOSFET 产品简介
**TK3A65D-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的 **单极N通道** MOSFET,特别适用于需要高电压承受能力和稳定开关性能的应用。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为 **650V**,使其在高电压工作环境中具有卓越的表现。其 **Vth** 为 **3.5V**,适用于较低栅极驱动电压的应用。MOSFET的 **RDS(ON)** 为 **2560mΩ**(在 **VGS=10V** 条件下),适合在相对较低电流(4A)下使用。采用 **Plannar** 技术,这种设计有助于提升器件的稳定性和抗扰性能,尤其适用于高电压开关和功率控制模块。
### TK3A65D-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装**:TO220F
- **配置**:单极N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:650V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:2560mΩ(VGS=10V)
- **最大漏极电流 (ID)**:4A
- **技术**:Plannar技术
- **工作温度范围**:-55°C至+150°C(具体取决于环境)
- **功率损耗**:相对较高,适合中低功率应用
- **开关特性**:适用于低电流和中等频率的开关应用
### TK3A65D-VB MOSFET 应用示例
1. **高压电源管理**:TK3A65D-VB由于其较高的 **VDS (650V)** 和适中 **RDS(ON)**,在高压电源管理模块中有着广泛应用,特别是那些需要处理交流电源或高电压直流电源的场合。例如,在AC-DC变换器、电力供应器和逆变器中,TK3A65D-VB可以作为开关元件,负责高压直流和交流电压的转换。
2. **功率放大器电路**:在一些功率放大器电路中,如音频功率放大器或者射频(RF)功率放大器,TK3A65D-VB可以用于驱动负载,提供高压工作环境下的稳定控制。这些应用通常需要MOSFET能有效管理中等功率和较低频率的信号。
3. **电动工具和家电电源**:TK3A65D-VB在电动工具(如电锯、电钻)和家电(如洗衣机、冰箱)的电源模块中也具有应用。通过在这些电源系统中作为开关元件,它能够提供稳定的电流控制,尤其在高电压启动和工作过程中提供可靠的性能。
4. **开关电源和逆变器**:在逆变器、UPS(不间断电源)和其他高压开关电源应用中,TK3A65D-VB能够稳定地承受高电压,并在需要快速开关时提供稳定的工作效率。它非常适合于低电流和中等频率的直流和交流电转换。
5. **电池管理系统(BMS)**:尽管TK3A65D-VB的最大漏极电流(ID)仅为4A,但它仍可应用于电池管理系统中,特别是在高电压电池组的管理中。例如,在48V或更高电压的电动汽车或太阳能储能系统中,它可以作为开关元件用于电池电压调节。
6. **高压照明控制**:TK3A65D-VB还可以用于高压照明控制系统中,特别是LED驱动电源或其他需要高电压开关控制的照明系统中。其较高的 **VDS** 和相对较低的开关损耗使其成为一个适合此类应用的理想选择。
### 总结
TK3A65D-VB是一款适合高压、中低功率应用的MOSFET,特别在高压电源、逆变器、电动工具电源、以及其他功率控制系统中表现出色。通过其650V的最大漏源电压和 **Plannar** 技术,它能够在要求稳定性和耐用性的应用场合中提供可靠的性能。
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