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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TK12A65D-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TK12A65D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### TK12A65D-VB MOSFET 产品简介

TK12A65D-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 型 MOSFET,适用于高电压和中功率开关电路,具有 650V 的漏源电压(V_DS)和最大 12A 的漏极电流(I_D)。该 MOSFET 配备了 Plannar 技术,确保其在高电压操作下具有较低的导通电阻(R_DS(ON)),达到 680mΩ(@V_GS=10V)。这种特性使得 TK12A65D-VB 在电源转换、电动机控制和电力管理系统中具有优异的性能,能够提供高效的功率开关,同时减少开关损耗和热量生成。它的广泛应用领域包括高效电源设计、逆变器、电池管理系统(BMS)和工业控制模块等。

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### TK12A65D-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单极 N 型 MOSFET(Single-N-Channel)  
- **漏源电压 (V_DS)**:650V  
- **栅源电压 (V_GS)**:±30V  
- **阈值电压 (V_th)**:3.5V  
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:  
 - 680mΩ @ V_GS = 10V  
- **最大漏极电流 (I_D)**:12A  
- **最大功率损耗**:由导通电阻和漏极电流决定,适用于中等功率的开关电路。  
- **技术**:Plannar 技术  
- **工作温度范围**:-55°C 到 +150°C(符合工业应用要求)

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### 应用领域和模块举例

1. **高效电源转换**:
  TK12A65D-VB 是开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的理想选择。其 650V 的耐压能力和 12A 的最大漏极电流,使其能够处理高功率和高电压的电源转换,特别是在高效能量转换设备中使用。其低导通电阻特性(680mΩ)帮助降低开关过程中的功率损耗,提升系统的整体效率。

2. **太阳能逆变器**:
  在太阳能光伏逆变器中,TK12A65D-VB 可作为高效的开关元件。由于其优异的导电性能和高压耐受能力,能够在太阳能发电系统中有效转换直流电至交流电。低导通电阻减少了逆变过程中产生的热量,增加了系统的稳定性和长时间运行的可靠性。

3. **电动机驱动系统**:
  TK12A65D-VB 适用于电动机驱动控制系统。其高电压和大电流承载能力(12A)使其在变频驱动(VFD)、电动工具和工业自动化等应用中非常可靠。MOSFET 低导通电阻特性可以减少电机驱动电路中的功率损耗,提升电动机运行效率,降低运行成本。

4. **电池管理系统(BMS)**:
  TK12A65D-VB 还广泛应用于电池管理系统中,尤其是在高压电池组的管理和保护中。作为高效开关器件,它能够帮助管理电池的充电与放电过程。低 R_DS(ON) 值有助于减少电池充放电过程中的热量积累,提高系统的运行效率和电池寿命。

5. **高功率家电电源模块**:
  在家电产品中,尤其是空调、电视、音响系统等高功率设备,TK12A65D-VB 用作电源模块中的核心开关元件。它能够承受较高的输入电压,并通过低导通电阻高效地控制电流,从而确保设备的高效能运作和长时间稳定工作。

6. **功率因数校正(PFC)电路**:
  TK12A65D-VB 是功率因数校正电路中的理想选择。由于其高电压承受能力和低导通电阻,它能够在电源输入端进行高效的电能转换,减少谐波失真,优化功率因数,适用于各种高效能电力系统。

7. **工业自动化系统**:
  TK12A65D-VB 在工业自动化系统中有广泛应用,尤其是在电力调节、负载控制等领域。其高耐压和大电流能力使其能够承受并控制工业设备中的大电流,提供精准的控制和电力调节,保证设备稳定运行。

8. **电动汽车(EV)充电器**:
  在电动汽车充电器中,TK12A65D-VB 作为开关元件帮助实现高效的电能传输,控制充电过程中的电流。其 650V 的耐压能力和 12A 的电流容量使其在快速充电系统中非常合适,减少能量损失并提升充电效率。

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### 总结

TK12A65D-VB 是一款功能强大且高效的单极 N 型 MOSFET,具有 650V 的漏源电压能力、680mΩ 的导通电阻(@V_GS = 10V)和 12A 的最大漏极电流。凭借其 Plannar 技术,它能够在高压电源转换、电动机控制、逆变器、电池管理系统等多个应用领域中提供高效、可靠的性能。该 MOSFET 的低导通电阻特性有效减少了能量损失,优化了整体系统效率,并且具备较高的热稳定性和耐用性,适合广泛的工业应用和高功率电源管理需求。

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