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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TK12A53D-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TK12A53D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**TK12A53D-VB MOSFET 产品简介**

TK12A53D-VB是一款高压N通道MOSFET,封装为TO220F,专为高电压应用而设计,具有650V的漏源电压(VDS)。该MOSFET采用Plannar技术,提供较高的耐压能力和较低的导通电阻(RDS(ON)=680mΩ@VGS=10V)。其最大漏电流(ID)为12A,能够在较高电压条件下稳定工作。

TK12A53D-VB适用于需要高电压承载能力和高效率的应用,能够在高功率开关电源、电力转换器、以及电动设备中发挥重要作用。其较高的VDS和中等的RDS(ON)使其在需要650V耐压和中等电流需求的应用中表现优越,特别是在电力电子、逆变器、电源管理系统等领域。

该产品的门极阈值电压为3.5V,适合大多数常见的驱动电路,具有较好的开关性能。无论是在功率因数校正电路(PFC),还是在电源转换设备中,TK12A53D-VB都能提供稳定、高效的性能。

**详细参数说明**

- **封装**:TO220F
- **配置**:单极N通道
- **VDS(漏源电压)**:650V
- **VGS(门源电压)**:±30V
- **Vth(门极阈值电压)**:3.5V
- **RDS(ON)**:680mΩ@VGS=10V
- **ID(最大漏电流)**:12A
- **技术**:Plannar技术

**适用领域与模块举例**

1. **高压电源管理系统**  
  TK12A53D-VB的650V耐压使其非常适合应用于高压电源管理系统中。例如,在工业电力控制系统中,它可以用作DC-DC转换器的开关元件,为系统提供稳定的电力供应,降低能量损耗。

2. **逆变器和电力转换器**  
  该MOSFET的高耐压和较低的RDS(ON)使其非常适合用于逆变器和电力转换器中,特别是用于太阳能逆变器和电动汽车充电器。TK12A53D-VB能够提供稳定的高压开关能力,确保高效的能量转换和最小的功率损耗。

3. **功率因数校正(PFC)电路**  
  在功率因数校正电路中,TK12A53D-VB由于其高耐压和较低的导通电阻,是理想的选择。PFC电路通常需要高电压和大电流MOSFET来实现稳定的电源输出,TK12A53D-VB能够有效提高功率因数并减少谐波污染。

4. **电动工具和家电产品**  
  由于其较高的耐压能力,TK12A53D-VB在高功率电动工具和家电产品中也有应用。例如,电动工具的电池充电器、电动马达驱动电路等高功率应用中,TK12A53D-VB能够提供高效的开关和稳定的性能。

5. **电力电子控制系统**  
  在电力电子控制系统中,如电机驱动系统、空调和冷冻设备的控制系统,TK12A53D-VB也能够发挥重要作用。凭借其高耐压和良好的开关特性,能够实现高效的电力调节和控制。

**总结**  
TK12A53D-VB是一款高耐压、高性能的N通道MOSFET,适用于高压电源管理、电力转换、逆变器、PFC电路及电动工具等多个领域。其650V的漏源电压和较低的导通电阻使其在中等电流需求的高压应用中表现出色,具有良好的效率和稳定性。

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