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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TK10A60D5-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TK10A60D5-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**TK10A60D5-VB** 是一款采用Plannar技术的单极N沟道MOSFET,采用TO220F封装,设计耐压为650V,最大漏极电流为12A。该产品具有3.5V的阈值电压,并且在VGS=10V时,导通电阻为680mΩ。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高电压、高电流的应用场景。该型号MOSFET的开关特性快速稳定,能够有效减少导通损耗,提供可靠的性能,尤其适用于开关电源、逆变器、电动机驱动等需要高效率的应用。

### 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单极N沟道  
- **最大漏极电压(VDS)**:650V  
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V  
- **阈值电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 680mΩ(在VGS=10V时)
- **最大漏极电流(ID)**:12A  
- **技术类型**:Plannar

### 应用领域和模块

1. **高效开关电源(SMPS)**
  TK10A60D5-VB广泛应用于开关电源(如AC-DC转换器、DC-DC转换器)中。在电源设计中,MOSFET主要用于控制电流的流动,其低导通电阻帮助提高电源转换效率,减少热量产生,尤其在要求高可靠性和高功率的电源模块中表现出色。由于其650V的耐压和12A的电流承载能力,适合用于工业电源、UPS电源和适配器等应用中。

2. **逆变器**
  作为一种高电压、高电流MOSFET,TK10A60D5-VB特别适合用于逆变器应用,尤其是在太阳能逆变器和其他电力转换系统中。MOSFET在逆变器电路中负责切换DC电源与AC负载之间的电流,通过高效的开关控制,确保系统稳定运行。该型号的高耐压特性可以轻松应对逆变器中常见的高电压波动,保证逆变器的可靠性和效率。

3. **电动机驱动**
  TK10A60D5-VB也广泛应用于电动机驱动领域,尤其在需要高电流控制的场合,如电动汽车、电动工具和自动化设备中。在这些应用中,MOSFET通常用来控制电流的反向流动,并驱动电动机工作。其低导通电阻有助于提高驱动系统的效率,并减少能源损耗,确保电动机驱动系统的稳定性和响应速度。

4. **工业控制系统**
  在工业控制系统中,TK10A60D5-VB适用于开关电源和各种功率调节模块。在这些系统中,MOSFET起到开关作用,控制电力的供应与分配。它特别适合在高功率负载的应用中,提供高效、低损耗的功率调节,常用于各种电动机控制、PLC控制以及负载管理系统。

5. **电池管理系统(BMS)**
  TK10A60D5-VB的高耐压和高电流承载能力使其在电池管理系统(BMS)中发挥重要作用,特别是在高压电池组中。MOSFET可以作为电池开关,帮助在电池过充、过放以及电流调节中提供可靠的保护。它能够高效地控制电流流动,确保电池组的安全和延长其使用寿命。

6. **家电与消费电子**
  TK10A60D5-VB也可以应用于各种家电和消费电子设备中,尤其是在高电压开关电源和电动驱动系统中。它的高效性能和稳定的开关特性使其适用于空调、电动工具、电动汽车充电设备等需要高功率的家用电器和消费电子产品。

7. **LED驱动电源**
  在LED照明系统中,TK10A60D5-VB可以用于LED驱动电源中。MOSFET能够提供高效的电流控制和转换,确保LED灯具的稳定工作,避免电压波动和电流不稳定对LED寿命的影响。由于其低导通电阻,能够减少功率损耗,提升系统的能效。

### 结论

TK10A60D5-VB是一款高性能的单极N沟道MOSFET,凭借其650V的高耐压和12A的电流承载能力,广泛适用于开关电源、逆变器、电动机驱动、电池管理系统、LED驱动电源等高效能要求的应用领域。其低导通电阻、稳定的开关性能使其在各种高电压、高电流负载的电力管理系统中表现出色,为各类电气设备提供了高效、可靠的功率开关解决方案。

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