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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TK10A50D-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TK10A50D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:

**TK10A50D-VB** 是一款高耐压的单N通道MOSFET,采用TO220F封装,适用于高电压电力管理系统。其最大漏源电压(VDS)为650V,最大漏极电流(ID)为12A,能够承受较高的电流需求。此MOSFET具有680mΩ的低导通电阻(RDS(ON)@VGS=10V),即使在大电流通过时也能有效减少功率损耗。采用**Plannar技术**,该MOSFET特别适用于要求高效能、高稳定性的电源管理、电力转换和电动工具应用。

### 详细参数说明:

- **封装类型**: TO220F  
- **配置**: 单N通道  
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V  
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V  
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 680mΩ@VGS=10V  
- **最大漏极电流 (ID)**: 12A  
- **技术**: Plannar技术  
- **最大功耗**: 根据散热设计,适用于中功率应用  
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C  
- **封装特性**: TO220F封装,良好的散热性能,适用于中等功率的电力系统。

### 应用领域和模块:

**1. 开关电源(SMPS)**  
TK10A50D-VB特别适用于开关电源(SMPS)中的功率开关元件。650V的耐压能力使其能够应对高压输入,适合用于AC-DC或DC-DC转换器中。12A的漏极电流容量可以满足中等功率的电源应用需求。低RDS(ON)(680mΩ@VGS=10V)有助于提高系统效率,减少功率损失。

**2. 电池充电器**  
在电池充电器中,TK10A50D-VB能够作为功率开关元件,在充电过程中高效转换能量。其高耐压和12A的电流承载能力适合锂电池和其他类型电池的充电应用。由于导通电阻较低,该MOSFET能够减少充电过程中的热损耗,从而提高充电效率和系统可靠性。

**3. 电动工具**  
TF10A50D-VB可广泛应用于电动工具中,特别是在高功率电池驱动的工具中。650V的高耐压使其能够承受来自电池的高电压输入,12A的电流能力满足大部分电动工具的需求。低RDS(ON)帮助减少电动工具运行时的热损耗,延长设备寿命,并提高操作效率。

**4. 工业电源和功率转换系统**  
在工业电源系统中,TK10A50D-VB作为关键功率开关元件,支持大功率电力转换。其650V的耐压能力和12A的电流能力非常适合工业电力调节系统、控制设备、伺服电机驱动等应用。低导通电阻提高了电源的效率,减少了热损耗,使系统运行更加高效可靠。

**5. 太阳能逆变器**  
在太阳能逆变器中,TK10A50D-VB可用于DC-AC转换器中,将直流电转换为交流电。其高耐压能力使其适应高电压环境,能够有效处理来自太阳能电池板的电能。12A的电流能力适合中等功率的太阳能逆变器应用,低导通电阻提高了能量转换效率。

**6. 交流电机驱动系统**  
TK10A50D-VB同样适用于交流电机驱动系统中。650V的耐压可以满足电机驱动系统中的高电压需求,12A的电流承载能力支持较高功率的电机驱动应用。其低RDS(ON)值有助于减少电机驱动过程中的热损失,提升系统的整体效率和可靠性。

### 总结:
TK10A50D-VB是一款650V耐压、12A漏极电流的N通道MOSFET,采用TO220F封装,适用于开关电源、电池充电器、电动工具、工业电源、太阳能逆变器和电机驱动等领域。低导通电阻(680mΩ@VGS=10V)使其具有优异的效率和较低的热损耗,广泛应用于功率转换和能源管理等系统中,满足中功率级别应用的需求。

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