企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

TF9N50-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TF9N50-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**TF9N50-VB** 是一款采用TO220F封装的单极N沟MOSFET,基于Plannar技术设计,具有650V的最大耐压和12A的最大漏极电流(ID)。它在VGS=10V时具有680mΩ的导通电阻(RDS(ON)),适用于中高压应用,如电源管理、开关电源、电机驱动和其他需要高效开关的应用。该MOSFET的阈值电压(Vth)为3.5V,具有良好的开关性能,适合于电源转换器、工业控制和高压设备中。其高耐压和适中的电流能力使其非常适合用于需要高可靠性和稳定性的电力系统。

### 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单极N沟  
- **最大漏源电压(VDS)**:650V  
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V  
- **阈值电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:680mΩ(在VGS=10V时)  
- **最大漏极电流(ID)**:12A  
- **技术类型**:Plannar  

### 应用领域和模块

1. **开关电源和电源转换器**  
  TF9N50-VB适用于开关电源(SMPS)和电源转换器,尤其是高电压应用。650V的耐压能力使其在处理较高电压的AC-DC、DC-DC转换器中非常有效。它能够高效地切换电源的输入和输出,减少能量损失,提高效率,并且能够承受高电压输入,适用于各种电力电子产品中的高压部分。

2. **工业电力控制系统**  
  该MOSFET可广泛用于工业电力控制系统中,尤其是在变频器、电动机驱动、逆变器和电力调节装置中。其12A的漏极电流能力使其能够驱动中等功率的工业负载,同时650V的耐压确保它可以在高电压工业环境中稳定工作。它在电动机控制、工业自动化及机械设备中,能够提供稳定可靠的电力转换。

3. **电动机驱动系统**  
  TF9N50-VB具有较高的电流处理能力和耐压特性,适合用于中等功率的电动机驱动系统。无论是在家电中(如空调、洗衣机等)还是在工业中(如泵、风扇、电动工具等),它都能提供高效的电流切换和控制,确保电动机的稳定运行和高效能。

4. **电池管理系统(BMS)**  
  在电池管理系统中,TF9N50-VB适用于高电压电池组的保护和控制。它能够通过高效的开关控制电池的充放电过程,确保电池的安全和长寿命。650V的高耐压使其在处理大容量电池组时更加稳定,适合于电动车辆、储能系统等领域的电池管理。

5. **LED照明驱动**  
  在LED照明控制中,TF9N50-VB是一个理想的选择。650V的耐压能力适用于高压LED驱动电源。该MOSFET能够高效开关,减少能量损失,并确保LED照明系统的稳定工作。尤其在高功率LED灯具的驱动中,它能够确保系统的高效和长寿命。

6. **电力因数校正(PFC)电路**  
  TF9N50-VB也适用于电力因数校正电路(PFC),特别是在高电压和中等功率的AC电源中。通过改进功率因数并减少谐波失真,该MOSFET有助于提高电源的效率,确保电力设备在工作时更节能环保。

7. **家用电器电源模块**  
  在家电电源模块中,TF9N50-VB可以用来提供稳定的电源供应。其高耐压和较低的导通电阻使其适用于中等功率家用电器,如电视机、空调、冰箱等。这些家电需要高效、稳定的电源管理和控制,而TF9N50-VB可以提供所需的性能。

### 结论

TF9N50-VB是一款650V耐压、12A漏极电流的N沟MOSFET,采用Plannar技术,适用于中高压电源转换、电动机驱动、工业控制、LED照明、以及电池管理等应用。其高耐压、低导通电阻和适中的电流能力,使其在需要高可靠性、稳定性和高效性能的中等功率领域中得到了广泛应用。特别是在高压电源和电机驱动等应用中,TF9N50-VB能够提供高效的开关性能和可靠的电流控制。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    727浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    602浏览量