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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TF8N50-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TF8N50-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**TF8N50-VB TO220F N 沟道 MOSFET** 是一款采用 **Plannar 技术** 制造的 **高压功率 MOSFET**,专为高电压、高电流开关应用设计,具有最大漏极源极电压(VDS) **650V** 和最大漏极电流(ID) **12A** 的能力。此款 MOSFET 具有 **3.5V** 的门阈值电压(Vth)和 **680mΩ** 的导通电阻(RDS(ON))@VGS = 10V,适用于高压开关、能量转换和电动机驱动等应用。封装采用 **TO220F**,使其具备良好的散热性能,适用于需要较高功率和散热要求的系统。

该 MOSFET 的设计考虑到高电压耐受性和高功率处理能力,广泛应用于 **电源管理系统**、**电动机驱动**、**逆变器电源** 和 **电池管理** 等场合。其 **650V** 的高电压耐受能力使其成为高压直流电路中可靠的开关器件。

### 详细参数说明

- **型号**:TF8N50-VB  
- **封装**:TO220F  
- **配置**:单个 N 沟道(Single-N-Channel)  
- **最大漏源电压(VDS)**:650V  
- **最大门源电压(VGS)**:±30V  
- **阈值电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - **680mΩ** @ **VGS = 10V**  
- **最大漏极电流(ID)**:12A  
- **技术**:Plannar  
- **最大功耗**:受限于散热条件,具体需要参考产品数据表和应用环境

### 适用领域和模块举例

1. **高压电源转换器**:
  TF8N50-VB 适用于 **高压电源转换器** 中的开关元件。尤其在 **太阳能逆变器**、**不间断电源(UPS)** 和 **高压直流(DC)-交流(AC)转换器** 中,MOSFET 常用于电压转换和功率调节电路。其 **650V** 的最大漏源电压使其能够承受高电压应用中的开关负载,且导通电阻较低,确保了较高的效率。

2. **电动机驱动系统**:
  在 **电动机驱动系统** 中,TF8N50-VB 作为 **开关元件**,用于控制直流电机、步进电机和无刷直流电机(BLDC)的驱动电路。其 **12A** 的最大漏极电流和高 **650V** 的耐压能力使其适合用于 **电动工具、家电电动机驱动、电动汽车** 等应用,满足较高电流和功率的需求。

3. **逆变器电源和变频器**:
  在 **变频器** 和 **电力逆变器** 中,TF8N50-VB 可以用于功率开关,控制电力的交流变换与调节。特别是在 **工业自动化** 和 **高功率电力控制系统** 中,MOSFET 提供快速开关和较低的能量损耗,使系统更加高效。

4. **汽车电子**:
  **TF8N50-VB** 也适用于 **汽车电子** 中,尤其是在 **电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)** 的 **电池管理系统(BMS)** 和 **电动机驱动系统** 中。MOSFET 可以用来高效地控制电池充放电,并用于电机驱动控制、能量回收和功率调节。

5. **高压直流开关电路**:
  由于 **TF8N50-VB** 具有高 **650V** 的耐压能力,它是 **高压直流(DC)电路开关** 中的理想选择。可用于 **高压电力传输** 和 **电压保护开关** 中,在出现过电压时切断电流,防止设备损坏。

6. **电力系统保护**:
  **TF8N50-VB** 还广泛应用于电力系统中的 **过电流保护电路、浪涌保护电路** 和 **电气断路器**。其能够在高电压环境下快速切断电流流动,保护电力系统免受过载和短路的影响。

### 总结

**TF8N50-VB TO220F N 沟道 MOSFET** 是一款高压、高功率开关元件,适用于多种高电压应用,尤其是在 **电源转换器、电动机驱动、逆变器电源和电力系统保护** 等领域。其 **650V** 的漏源电压和 **12A** 的最大漏极电流提供了强大的承载能力,同时其 **680mΩ** 的导通电阻使其在开关过程中能够高效运行。随着其 **Plannar 技术** 的设计,TF8N50-VB 在需要高电压耐受、低损耗和高效能的应用场合中表现出色。

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