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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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TF7N65L-VB一款TO220F封装N-Channel场效应晶体管

型号: TF7N65L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO220F
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**TF7N65L-VB** 是一款采用TO220F封装的单极N沟MOSFET,采用Plannar技术设计,适用于650V的高压应用,最大漏极电流(ID)为7A。该器件的导通电阻(RDS(ON))为1100mΩ,在VGS=10V时表现良好,适用于对导通电阻要求较低的中功率应用。其阈值电压(Vth)为3.5V,使其能够通过标准的栅驱动电路进行控制。TF7N65L-VB被广泛应用于电源管理、工业控制、电动机驱动、以及高压电源转换器等领域,尤其适合那些需要高耐压但电流相对较低的应用场合。

### 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F  
- **配置**:单极N沟  
- **最大漏源电压(VDS)**:650V  
- **最大栅源电压(VGS)**:±30V  
- **阈值电压(Vth)**:3.5V  
- **导通电阻(RDS(ON))**:1100mΩ(在VGS=10V时)  
- **最大漏极电流(ID)**:7A  
- **技术类型**:Plannar  

### 应用领域和模块

1. **高压电源开关**  
  TF7N65L-VB适用于高压电源开关应用,如AC-DC电源转换器、DC-DC升压或降压转换器。由于其650V的耐压,TF7N65L-VB可以在高压电源中作为开关器件,承担开关功能,尤其适合需要较高电压承受能力的电源模块。其相对较低的漏极电流(7A)适用于中功率应用,并在需要稳定开关性能的电源管理系统中表现出色。

2. **工业控制系统**  
  在工业控制系统中,TF7N65L-VB可以作为高压开关元件,广泛应用于自动化设备、传动控制和变频驱动系统。其高耐压能力使其能够处理工业环境中的高电压应用,特别是在电动机控制、泵和风机驱动等场景中。较低的导通电阻也有助于减少电源转换中的能量损耗,提升系统效率。

3. **电动机驱动系统**  
  该MOSFET适用于低至中功率电动机驱动系统,特别是在需要高耐压的电动工具、电动交通工具和小型工业设备中。在这些系统中,TF7N65L-VB能够可靠地处理电动机所需的开关操作,确保电机驱动电路的稳定性和长期工作效率。

4. **家电应用**  
  在家电产品如空调、洗衣机、冰箱等中,TF7N65L-VB可以用于高压电源的开关部分。家电产品通常要求较高的电源转化效率,并能够承受家庭电网中的高电压。该MOSFET的650V耐压使其非常适合用于这些高压电源系统,特别是在中等功率的开关电源应用中。

5. **电池管理系统**  
  TF7N65L-VB可在电池管理系统中作为保护开关应用,特别是针对需要高电压切换的电池组。该MOSFET能有效控制电池的充放电过程,防止过压和过流的情况发生,保障电池的安全性。650V的高耐压使其适用于较高电压的电池组,例如电动汽车电池或大型储能系统中的电池保护电路。

6. **汽车电子系统**  
  在汽车电子系统中,TF7N65L-VB可以用于电动汽车驱动、车载电源管理系统和电池保护等模块。它能够在高电压环境下工作,特别适合于电动汽车的电池管理和电动机控制系统。这使得该MOSFET能够在电动汽车系统中实现高效、安全的电力传输。

7. **高压开关电源**  
  TF7N65L-VB可广泛应用于高压开关电源模块中,尤其适用于中功率的电源转换器,如医疗设备、通信基站、工业电源等。其高电压承受能力能够确保在高压环境下稳定工作,并且能够为这些设备提供稳定的电源转换效率。

### 结论

TF7N65L-VB是一款具有650V耐压和7A电流承受能力的N沟MOSFET。它的Plannar技术设计使其在高压应用中具有稳定的性能,适用于多种中功率、高耐压需求的场景。特别是在高压电源、电动机驱动、工业控制、家电电源管理、电池保护以及汽车电子系统中,TF7N65L-VB能够提供可靠的开关性能,并通过低导通电阻优化能效,适合多种应用环境。

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