--- 产品参数 ---
- Package TO220F
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
**TF7N60L-VB** 是一款高压N通道MOSFET,采用TO220F封装,专为需要中高压操作环境的应用设计。其VDS为650V,适用于要求高耐压的电力管理和功率转换应用。该MOSFET的最大漏极电流为7A,适合中等功率需求的电源系统。其导通电阻(RDS(ON))为1100mΩ@VGS=10V,能够有效地减少功率损耗和提高转换效率。TF7N60L-VB采用了传统的**Plannar技术**,为应用提供了良好的稳定性和可靠性。此款MOSFET广泛用于电源管理、开关电源、功率调节等高压电力系统。
### 详细参数说明:
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单N通道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ@VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术**: Plannar技术
- **最大功耗**: 根据散热设计,适用于中等功率应用
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **封装特性**: TO220F封装,良好的热管理和散热能力,适用于中功率要求的系统。
### 应用领域和模块:
**1. 开关电源(SMPS)**
TF7N60L-VB非常适用于开关电源(SMPS)中的高压功率开关元件。其650V的漏源电压适合处理较高电压的输入信号,并且能够在高压环境下稳定工作。低导通电阻(RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V)有助于减少开关损耗,确保电源效率的提高,尤其是在中等功率的AC-DC电源转换中应用广泛。
**2. 电池充电器**
在电池充电器中,TF7N60L-VB可以用作功率转换元件,特别是用于高压电池充电系统(如锂电池充电)。650V的高耐压和7A的漏极电流能力,能够支持高功率电池充电器的需求,同时低导通电阻有助于提高充电效率,减少电能损耗,提升充电过程的稳定性和效率。
**3. 电动工具**
TF7N60L-VB在电动工具中具有重要应用,尤其是在电动工具的电源系统中,作为开关元件控制电池的充电和放电过程。其高耐压特性使其能够在高电流负载下稳定工作,满足电动工具中的功率需求,同时降低能量损耗,确保工具长时间高效工作。
**4. 工业电源与功率转换系统**
在工业电源和功率转换模块中,TF7N60L-VB也非常适合。其650V的耐压能力使其能够应对大多数工业电源系统的输入电压,而7A的最大电流能力则适用于中等功率需求的工业应用。无论是用于直流电源的转换,还是交流电源的控制,TF7N60L-VB都能提供高效、稳定的功率管理。
**5. 太阳能逆变器**
在太阳能逆变器中,TF7N60L-VB也能够发挥重要作用。作为逆变器中的开关元件,它能够高效地控制来自太阳能电池板的直流电,并转换为交流电供电负载。650V的高耐压能够应对高电压太阳能电池板输出,7A的电流能力足以支持一般家庭或工业太阳能逆变器的需求。
**6. 汽车电力系统**
TF7N60L-VB在汽车电力系统中的应用也非常重要。它可以用作电池管理系统(BMS)中的功率开关,帮助控制电池的充电、放电和保护,同时确保在高压环境下稳定工作。其低导通电阻减少了功率损失,提升了车辆电力系统的整体效率。
### 总结:
TF7N60L-VB是一款650V耐压、7A电流承载能力的N通道MOSFET,采用TO220F封装,广泛应用于开关电源、电池充电器、电动工具、工业电源、太阳能逆变器等领域。其低导通电阻和高耐压能力使其在功率转换、能量管理系统中表现出色,为用户提供了高效、可靠的电力控制解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12